APTM20HM20STG je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro APTM20HM20STG, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro APTM20HM20STG e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si APTM20HM20STG s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
APTM20HM20STG
- Part Number:
- APTM20HM20STG
- Výrobce:
- Microsemi
- Popis:
- MOSFET 4N-CH 200V 89A SP4
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 31295 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- 1.APTM20HM20STG.pdf2.APTM20HM20STG.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Vgs (th) (max) 'Id: | 5V @ 2.5mA |
| Dodavatel zařízení Package: | SP4 |
| Série: | - |
| RDS On (Max) @ Id, Vgs: | 24 mOhm @ 44.5A, 10V |
| Power - Max: | 357W |
| Obal: | Bulk |
| Paket / krabice: | SP4 |
| Provozní teplota: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Typ montáže: | Chassis Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Výrobní standardní doba výroby: | 32 Weeks |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds: | 6850pF @ 25V |
| Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs: | 112nC @ 10V |
| Typ FET: | 4 N-Channel (H-Bridge) |
| FET Feature: | Standard |
| Drain na zdroj napětí (Vdss): | 200V |
| Detailní popis: | Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 200V 89A 357W Chassis Mount SP4 |
| Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C: | 89A |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro APTM20HM20STG
| Obraz | Part Number | Výrobci | Popis | Pohled |
|---|---|---|---|---|
 |
APTM20SKM08TG | Microsemi | MOSFET N-CH 200V 208A SP4 | Dotaz |
|
APTM20HM10FG | Microsemi | MOSFET 4N-CH 200V 175A SP6 | Dotaz |
 |
APTM20TDUM16PG | Microsemi | MOSFET 6N-CH 200V 104A SP6-P | Dotaz |
|
APTM20DUM10TG | Microsemi | MOSFET 2N-CH 200V 175A SP4 | Dotaz |
 |
APTM20SKM04G | Microsemi | MOSFET N-CH 200V 372A SP6 | Dotaz |
|
APTM20HM08FG | Microsemi | MOSFET 4N-CH 200V 208A SP6 | Dotaz |
|
APTM20HM16FTG | Microsemi | MOSFET 4N-CH 200V 104A SP4 | Dotaz |
|
APTM20SKM10TG | Microsemi | MOSFET N-CH 200V 175A SP4 | Dotaz |
|
APTM20DUM05G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 200V 317A SP6 | Dotaz |
|
APTM20DUM05TG | Microsemi | MOSFET 2N-CH 200V 333A SP8 | Dotaz |
|
APTM20UM09SG | Microsemi | MOSFET N-CH 200V 195A J3 | Dotaz |
|
APTM20TAM16FPG | Microsemi | MOSFET 6N-CH 200V 104A SP6-P | Dotaz |
 |
APTM20UM03FAG | Microsemi | MOSFET N-CH 200V 580A SP6 | Dotaz |
 |
APTM20DUM04G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 200V 372A SP6 | Dotaz |
|
APTM20SKM05G | Microsemi | MOSFET N-CH 200V 317A SP6 | Dotaz |
|
APTM20UM04SAG | Microsemi | MOSFET N-CH 200V 417A SP6 | Dotaz |
|
APTM20HM20FTG | Microsemi | MOSFET 4N-CH 200V 89A SP4 | Dotaz |
|
APTM20DHM20TG | Microsemi | MOSFET 2N-CH 200V 89A SP4 | Dotaz |
|
APTM20DUM08TG | Microsemi | MOSFET 2N-CH 200V 208A SP4 | Dotaz |
|
APTM20UM05SG | Microsemi | MOSFET N-CH 200V 317A J3 | Dotaz |
Latest News
- ARM se objevila v Computex 2024: Očekává se, že do konce roku 2025 lze pro AI použít více než 100 miliard zařízení pro AI
- Qorvo spustil vynikající odvětví vysoce -gain 5g mmimo předběžného
- AI simulační cyklus dotaz, AI řídí poptávka po paměti Flash paměť
- Micron's Plán vybudovat továrnu, Nand Flash paměť za vysoké ceny nebo údržbu
- Výkon ADI je snížen, vzrostly substráty měděné fólie, skladování původní výroby továrny Konzervativní
- Vlna inteligence v autě přichází a Aimus Oslang pomohl Sagita Juguang uvolnit MX Lidar
- Výrobní kapacita HBM je vyloučena, paměť DRAM může být v druhé polovině roku nedostatečná
- Zakladatelé zdi skončí, HBM nebo způsobí, že se opět zvýší DRAM
- Poptávka po mobilním telefonu a expanzi PC, globální polovodičové výroby průmyslu
- Pochopte potřeby systémů monitorování ADAS a kabiny pro obrazové senzory zabezpečení sítě
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické