APTM120DSK57T3G je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro APTM120DSK57T3G, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro APTM120DSK57T3G e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si APTM120DSK57T3G s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
APTM120DSK57T3G
- Part Number:
- APTM120DSK57T3G
- Výrobce:
- Microsemi
- Popis:
- MOSFET 2N-CH 1200V 17A SP3
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 40886 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- APTM120DSK57T3G.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Vgs (th) (max) 'Id: | 5V @ 2.5mA |
| Dodavatel zařízení Package: | SP3 |
| Série: | - |
| RDS On (Max) @ Id, Vgs: | 684 mOhm @ 8.5A, 10V |
| Power - Max: | 390W |
| Obal: | Bulk |
| Paket / krabice: | SP3 |
| Provozní teplota: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Typ montáže: | Chassis Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds: | 5155pF @ 25V |
| Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs: | 187nC @ 10V |
| Typ FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature: | Standard |
| Drain na zdroj napětí (Vdss): | 1200V (1.2kV) |
| Detailní popis: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 1200V (1.2kV) 17A 390W Chassis Mount SP3 |
| Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C: | 17A |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro APTM120DSK57T3G
| Obraz | Part Number | Výrobci | Popis | Pohled |
|---|---|---|---|---|
 |
APTM120SK56T1G | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 18A SP1 | Dotaz |
 |
APTM120H29FG | Microsemi | MOSFET 4N-CH 1200V 34A SP6 | Dotaz |
|
APTM120DU29TG | Microsemi | MOSFET 2N-CH 1200V 34A SP4 | Dotaz |
|
APTM120DA68T1G | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 15A SP1 | Dotaz |
|
APTM120SK29TG | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 34A SP4 | Dotaz |
|
APTM120DA30T1G | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 31A SP1 | Dotaz |
|
APTM120A80FT1G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 1200V 14A SP1 | Dotaz |
|
APTM120SK15G | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 60A SP6 | Dotaz |
|
APTM120DA15G | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 60A SP6 | Dotaz |
|
APTM120DA56T1G | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 18A SP1 | Dotaz |
|
APTM120A65FT1G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 1200V 16A SP1 | Dotaz |
 |
APTM120DU15G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 1200V 60A SP6 | Dotaz |
|
APTM120DDA57T3G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 1200V 17A SP3 | Dotaz |
|
APTM120A29FTG | Microsemi | MOSFET 2N-CH 1200V 34A SP4 | Dotaz |
 |
APTM120DA30CT1G | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 31A SP1 | Dotaz |
|
APTM120DA29TG | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 34A SP4 | Dotaz |
|
APTM120SK68T1G | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 15A SP1 | Dotaz |
 |
APTM120H140FT1G | Microsemi | MOSFET 4N-CH 1200V 8A SP1 | Dotaz |
|
APTM120H57FTG | Microsemi | MOSFET 4N-CH 1200V 17A SP4 | Dotaz |
|
APTM120H57FT3G | Microsemi | MOSFET 4N-CH 1200V 17A SP3 | Dotaz |
Latest News
- Moels Micro Electronics zřídila nové kanceláře na Tchaj -wanu v Číně, aby rozšířila obchodní území
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Finanční zpráva prvního čtvrtletí SEF Semiconductor (ST) se snižuje a poptávka po automobilech se zpomalila
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Místní zralý objem čipu, Samsung Nand Flash Memory Production Capaciption blízko zatížení
- Vishay uvádí na trh Miniled Balení s vysokým jasem Malá modrá a čistě zelená LED
- Ansonmei spustila induktivní snímač pozice pro trh průmyslového a dopravy
- Ruisa zahajuje starou továrnu, aby zvýšila napájecí zařízení, zemětřesení ovlivňuje výstup DRAM mírný
- Mikročip umožňuje výrobní kapacitu TSMC a zvyšuje zvyšování cen
- Ruisa spustila novou řadu RA0 série Ultra -Low Power Entry -level MCU
- Melexis spustí plně integrovaný čip přepínače
- X-Fab zavádí technologii osvětlení zpětného osvětlení obrázků pro zvýšení výkonu senzoru CMOS