APTGLQ75H65T1G je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro APTGLQ75H65T1G, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro APTGLQ75H65T1G e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si APTGLQ75H65T1G s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
APTGLQ75H65T1G
- Part Number:
- APTGLQ75H65T1G
- Výrobce:
- Microsemi
- Popis:
- PWR MOD IGBT4 650V 150A SP1
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 57488 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- APTGLQ75H65T1G.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napětí - kolektoru emitoru Breakdown (Max): | 650V |
| VCE (o) (Max) @ VGE, Ic: | 2.3V @ 15V, 75A |
| Dodavatel zařízení Package: | SP1 |
| Série: | - |
| Power - Max: | 250W |
| Paket / krabice: | SP1 |
| Provozní teplota: | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| NTC termistor: | Yes |
| Typ montáže: | Through Hole |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Výrobní standardní doba výroby: | 32 Weeks |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Vstupní kapacita (Cies) @ Vce: | 4.62nF @ 25V |
| Vstup: | Standard |
| Typ IGBT: | Trench Field Stop |
| Detailní popis: | IGBT Module Trench Field Stop Full Bridge 650V 150A 250W Through Hole SP1 |
| Aktuální - sběratel Cutoff (Max): | 100µA |
| Proud - Collector (Ic) (Max): | 150A |
| Konfigurace: | Full Bridge |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro APTGLQ75H65T1G
| Obraz | Part Number | Výrobci | Popis | Pohled |
|---|---|---|---|---|
 |
APTGLQ75H120T3G | Microsemi | PWR MOD IGBT4 1200V 130A SP3 | Dotaz |
|
APTGT100A120T3AG | Microsemi | MOD IGBT 1200V 140A SP3 | Dotaz |
|
APTGT100A170D1G | Microsemi | IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D1 | Dotaz |
 |
APTGT100A170TG | Microsemi | POWER MOD IGBT TRENCH PH LEG SP4 | Dotaz |
|
APTGT100A120TG | Microsemi | IGBT MODULE TRENCH PH LEG SP4 | Dotaz |
|
APTGLQ600A65T6G | Microsemi | PWR MOD IGBT4 650V 1200A SP6 | Dotaz |
|
APTGLQ40HR120CT3G | Microsemi | PWR MOD PHASE LEG/DUAL CE SP3F | Dotaz |
|
APTGLQ50DDA65T3G | Microsemi | POWER MODULE - IGBT | Dotaz |
|
APTGLQ40H120T1G | Microsemi | PWR MOD IGBT4 1200V 75A SP1 | Dotaz |
|
APTGLQ80HR120CT3G | Microsemi | PWR MOD PHASE LEG/DUAL CE SP3F | Dotaz |
|
APTGLQ75H120TG | Microsemi | POWER MODULE - IGBT | Dotaz |
|
APTGLQ50VDA65T3G | Microsemi | POWER MODULE - IGBT | Dotaz |
|
APTGLQ50TL65T3G | Microsemi | POWER MODULE - IGBT | Dotaz |
|
APTGT100A60TG | Microsemi | IGBT MODULE TRENCH PH LEG SP4 | Dotaz |
|
APTGT100A1202G | Microsemi | MOD IGBT 1200V 140A SP2 | Dotaz |
|
APTGLQ50H65T1G | Microsemi | POWER MODULE - IGBT | Dotaz |
 |
APTGT100A120D1G | Microsemi | IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D1 | Dotaz |
|
APTGLQ50H65T3G | Microsemi | POWER MODULE - IGBT | Dotaz |
|
APTGT100A602G | Microsemi | MOD IGBT 600V 150A SP2 | Dotaz |
 |
APTGT100A60T1G | Microsemi | IGBT PHASE LEG 600V 150A SP1 | Dotaz |
Latest News
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC
- Moels Micro Electronics zřídila nové kanceláře na Tchaj -wanu v Číně, aby rozšířila obchodní území
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Finanční zpráva prvního čtvrtletí SEF Semiconductor (ST) se snižuje a poptávka po automobilech se zpomalila
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Místní zralý objem čipu, Samsung Nand Flash Memory Production Capaciption blízko zatížení
- Vishay uvádí na trh Miniled Balení s vysokým jasem Malá modrá a čistě zelená LED
- Ansonmei spustila induktivní snímač pozice pro trh průmyslového a dopravy
- Ruisa zahajuje starou továrnu, aby zvýšila napájecí zařízení, zemětřesení ovlivňuje výstup DRAM mírný
- Mikročip umožňuje výrobní kapacitu TSMC a zvyšuje zvyšování cen