APTC90TAM60TPG je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro APTC90TAM60TPG, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro APTC90TAM60TPG e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si APTC90TAM60TPG s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
APTC90TAM60TPG
- Part Number:
- APTC90TAM60TPG
- Výrobce:
- Microsemi
- Popis:
- MOSFET 6N-CH 900V 59A SP6-P
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 25465 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- APTC90TAM60TPG.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Vgs (th) (max) 'Id: | 3.5V @ 6mA |
| Dodavatel zařízení Package: | SP6-P |
| Série: | CoolMOS™ |
| RDS On (Max) @ Id, Vgs: | 60 mOhm @ 52A, 10V |
| Power - Max: | 462W |
| Obal: | Tray |
| Paket / krabice: | SP6 |
| Provozní teplota: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Typ montáže: | Chassis Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds: | 13600pF @ 100V |
| Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs: | 540nC @ 10V |
| Typ FET: | 6 N-Channel (3-Phase Bridge) |
| FET Feature: | Super Junction |
| Drain na zdroj napětí (Vdss): | 900V |
| Detailní popis: | Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 900V 59A 462W Chassis Mount SP6-P |
| Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C: | 59A |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro APTC90TAM60TPG
| Obraz | Part Number | Výrobci | Popis | Pohled |
|---|---|---|---|---|
 |
APTC90H12T2G | Microsemi | MOSFET 4N-CH 900V 30A SP2 | Dotaz |
|
APTC90SKM60CT1G | Microsemi | MOSFET N-CH 900V 59A SP1 | Dotaz |
|
APTCV60HM70RT3G | Microsemi | POWER MOD FULL BRIDGE SP3 | Dotaz |
|
APTC90DAM60CT1G | Microsemi | MOSFET N-CH 900V 59A SP1 | Dotaz |
|
APTCV60TLM24T3G | Microsemi | POWER MODULE - COOLMOS | Dotaz |
|
APTC90DSK12T1G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 900V 30A SP1 | Dotaz |
|
APTC90H12T1G | Microsemi | MOSFET 4N-CH 900V 30A SP1 | Dotaz |
 |
APTC90DAM60T1G | Microsemi | MOSFET N-CH 900V 59A SP1 | Dotaz |
 |
APTCV60HM45BT3G | Microsemi | POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3 | Dotaz |
|
APTC90DDA12T1G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 900V 30A SP1 | Dotaz |
 |
APTCV60HM45RT3G | Microsemi | POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3 | Dotaz |
 |
APTCV60TLM45T3G | Microsemi | POWER MODULE IGBT3 SP3 | Dotaz |
|
APTC90SKM60T1G | Microsemi | MOSFET N-CH 900V 59A SP1 | Dotaz |
 |
APTCV60HM45RCT3G | Microsemi | POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3 | Dotaz |
|
APTC90HM60T3G | Microsemi | MOSFET 4N-CH 900V 59A SP3 | Dotaz |
 |
APTCV60HM45BC20T3G | Microsemi | POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3 | Dotaz |
|
APTCV60HM70BT3G | Microsemi | POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3 | Dotaz |
|
APTCV50H60T3G | Microsemi | IGBT TRENCH FULL BRIDGE SP3 | Dotaz |
|
APTC90H12SCTG | Microsemi | MOSFET 4N-CH 900V 30A SP4 | Dotaz |
|
APTCV40H60CT1G | Microsemi | IGBT TRENCH FULL BRIDGE SP1 | Dotaz |
Latest News
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC
- Moels Micro Electronics zřídila nové kanceláře na Tchaj -wanu v Číně, aby rozšířila obchodní území
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Finanční zpráva prvního čtvrtletí SEF Semiconductor (ST) se snižuje a poptávka po automobilech se zpomalila
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Místní zralý objem čipu, Samsung Nand Flash Memory Production Capaciption blízko zatížení
- Vishay uvádí na trh Miniled Balení s vysokým jasem Malá modrá a čistě zelená LED
- Ansonmei spustila induktivní snímač pozice pro trh průmyslového a dopravy
- Ruisa zahajuje starou továrnu, aby zvýšila napájecí zařízení, zemětřesení ovlivňuje výstup DRAM mírný
- Mikročip umožňuje výrobní kapacitu TSMC a zvyšuje zvyšování cen