APTC60DDAM24T3G je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro APTC60DDAM24T3G, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro APTC60DDAM24T3G e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si APTC60DDAM24T3G s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
APTC60DDAM24T3G
- Part Number:
- APTC60DDAM24T3G
- Výrobce:
- Microsemi
- Popis:
- MOSFET 2N-CH 600V 95A SP3
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 22592 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- APTC60DDAM24T3G.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Vgs (th) (max) 'Id: | 3.9V @ 5mA |
| Dodavatel zařízení Package: | SP3 |
| Série: | CoolMOS™ |
| RDS On (Max) @ Id, Vgs: | 24 mOhm @ 47.5A, 10V |
| Power - Max: | 462W |
| Obal: | Tray |
| Paket / krabice: | SP3 |
| Provozní teplota: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Typ montáže: | Chassis Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Výrobní standardní doba výroby: | 32 Weeks |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds: | 14400pF @ 25V |
| Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs: | 300nC @ 10V |
| Typ FET: | 2 N Channel (Dual Buck Chopper) |
| FET Feature: | Super Junction |
| Drain na zdroj napětí (Vdss): | 600V |
| Detailní popis: | Mosfet Array 2 N Channel (Dual Buck Chopper) 600V 95A 462W Chassis Mount SP3 |
| Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C: | 95A |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro APTC60DDAM24T3G
| Obraz | Part Number | Výrobci | Popis | Pohled |
|---|---|---|---|---|
 |
APTC60DSKM45CT1G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 600V 49A SP1 | Dotaz |
|
APTC60DAM24T1G | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 95A SP1 | Dotaz |
|
APTC60DAM24CT1G | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 95A SP4 | Dotaz |
 |
APTC60DSKM24T3G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 600V 95A SP3 | Dotaz |
|
APTC60AM83BC1G | Microsemi | MOSFET 3N-CH 600V 36A SP1 | Dotaz |
 |
APTC60DAM18CTG | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 143A SP4 | Dotaz |
|
APTC60AM70T1G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 600V 39A SP1 | Dotaz |
|
APTC60DDAM70CT1G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 600V 39A SP1 | Dotaz |
 |
APTC60AM45BC1G | Microsemi | MOSFET 3N-CH 600V 49A SP1 | Dotaz |
|
APTC60DDAM45T1G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 600V 49A SP1 | Dotaz |
 |
APTC60BBM24T3G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 600V 95A SP3F | Dotaz |
|
APTC60AM45T1G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 600V 49A SP1 | Dotaz |
|
APTC60DDAM45CT1G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 600V 49A SP1 | Dotaz |
|
APTC60DHM24T3G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 600V 95A SP3 | Dotaz |
|
APTC60AM83B1G | Microsemi | MOSFET 3N-CH 600V 36A SP1 | Dotaz |
|
APTC60DDAM70T1G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 600V 39A SP1 | Dotaz |
|
APTC60DAM35T1G | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 72A SP1 | Dotaz |
 |
APTC60DDAM35T3G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 600V 72A SP3 | Dotaz |
|
APTC60DDAM70T3G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 600V 39A SP3 | Dotaz |
|
APTC60DSKM35T3G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 600V 72A SP3 | Dotaz |
Latest News
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC
- Moels Micro Electronics zřídila nové kanceláře na Tchaj -wanu v Číně, aby rozšířila obchodní území
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Finanční zpráva prvního čtvrtletí SEF Semiconductor (ST) se snižuje a poptávka po automobilech se zpomalila
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Místní zralý objem čipu, Samsung Nand Flash Memory Production Capaciption blízko zatížení
- Vishay uvádí na trh Miniled Balení s vysokým jasem Malá modrá a čistě zelená LED
- Ansonmei spustila induktivní snímač pozice pro trh průmyslového a dopravy
- Ruisa zahajuje starou továrnu, aby zvýšila napájecí zařízení, zemětřesení ovlivňuje výstup DRAM mírný
- Mikročip umožňuje výrobní kapacitu TSMC a zvyšuje zvyšování cen