APT60DS20HJ je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro APT60DS20HJ, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro APT60DS20HJ e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si APT60DS20HJ s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
APT60DS20HJ
- Part Number:
- APT60DS20HJ
- Výrobce:
- Microsemi
- Popis:
- MOD DIODE 200V SOT-227
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 36054 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- APT60DS20HJ.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napětí - Peak Reverse (Max): | 200V |
| Napětí - Forward (VF) (Max) @-li: | 900mV @ 60A |
| Technika: | Schottky |
| Dodavatel zařízení Package: | SOT-227 |
| Série: | - |
| Obal: | Bulk |
| Paket / krabice: | SOT-227-4, miniBLOC |
| Provozní teplota: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Typ montáže: | Chassis Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Diode Type: | Single Phase |
| Detailní popis: | Bridge Rectifier Single Phase Schottky 200V Chassis Mount SOT-227 |
| Proud - zpìtný únikový @ Vr: | 1mA @ 200V |
| Proud - Průměrná Rektifikova (Io): | 90A |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro APT60DS20HJ
| Obraz | Part Number | Výrobci | Popis | Pohled |
|---|---|---|---|---|
 |
APT60GA60JD60 | Microsemi | IGBT 600V 112A 356W SOT-227 | Dotaz |
 |
APT60GF60JU3 | Microsemi | IGBT 600V 93A 378W SOT227 | Dotaz |
 |
APT60DQ120BG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1.2KV 60A TO247 | Dotaz |
 |
APT60M75JLL | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 58A SOT-227 | Dotaz |
|
APT60M60JFLL | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 70A SOT-227 | Dotaz |
 |
APT60GT60BRG | Microsemi | IGBT 600V 100A 500W TO247 | Dotaz |
|
APT60GT60JR | Microsemi | IGBT 600V 93A 378W SOT227 | Dotaz |
|
APT60DQ60BCTG | Microsemi | DIODE ARRAY GP 600V 60A TO247 | Dotaz |
|
APT60DS04HJ | Microsemi | MOD DIODE 400V SOT-227 | Dotaz |
|
APT60M75JFLL | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 58A SOT-227 | Dotaz |
|
APT60GF120JRDQ3 | Microsemi | IGBT 1200V 149A 625W SOT227 | Dotaz |
 |
APT60DQ100LCTG | Microsemi | DIODE ARRAY GP 1000V 60A TO264 | Dotaz |
|
APT60GF60JU2 | Microsemi | IGBT 600V 93A 378W SOT227 | Dotaz |
|
APT60DS10HJ | Microsemi | MOD DIODE 100V SOT-227 | Dotaz |
|
APT60DF20HJ | Microsemi | MOD DIODE 200V SOT-227 | Dotaz |
|
APT60M60JLL | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 70A SOT-227 | Dotaz |
|
APT60DQ100BG | Microsemi | DIODE GEN PURP 1KV 60A TO247 | Dotaz |
|
APT60DQ120LCTG | Microsemi | DIODE ARRAY GP 1200V 60A TO264 | Dotaz |
|
APT60DF60HJ | Microsemi | POWER MOD DIODE 600V 90A SOT227 | Dotaz |
|
APT60DQ60BG | Microsemi | DIODE GEN PURP 600V 60A TO247 | Dotaz |
Latest News
- Výrobní kapacita HBM je vyloučena, paměť DRAM může být v druhé polovině roku nedostatečná
- Zakladatelé zdi skončí, HBM nebo způsobí, že se opět zvýší DRAM
- Poptávka po mobilním telefonu a expanzi PC, globální polovodičové výroby průmyslu
- Pochopte potřeby systémů monitorování ADAS a kabiny pro obrazové senzory zabezpečení sítě
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC
- Moels Micro Electronics zřídila nové kanceláře na Tchaj -wanu v Číně, aby rozšířila obchodní území
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Finanční zpráva prvního čtvrtletí SEF Semiconductor (ST) se snižuje a poptávka po automobilech se zpomalila
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Místní zralý objem čipu, Samsung Nand Flash Memory Production Capaciption blízko zatížení