APT50GT120JRDQ2 je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro APT50GT120JRDQ2, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro APT50GT120JRDQ2 e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si APT50GT120JRDQ2 s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
APT50GT120JRDQ2
- Part Number:
- APT50GT120JRDQ2
- Výrobce:
- Microsemi
- Popis:
- IGBT 1200V 72A 379W SOT227
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 26579 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- APT50GT120JRDQ2.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napětí - kolektoru emitoru Breakdown (Max): | 1200V |
| VCE (o) (Max) @ VGE, Ic: | 3.7V @ 15V, 50A |
| Dodavatel zařízení Package: | ISOTOP® |
| Série: | Thunderbolt IGBT® |
| Power - Max: | 379W |
| Paket / krabice: | ISOTOP |
| Provozní teplota: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| NTC termistor: | No |
| Typ montáže: | Chassis Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Vstupní kapacita (Cies) @ Vce: | 2.5nF @ 25V |
| Vstup: | Standard |
| Typ IGBT: | NPT |
| Detailní popis: | IGBT Module NPT Single 1200V 72A 379W Chassis Mount ISOTOP® |
| Aktuální - sběratel Cutoff (Max): | 400µA |
| Proud - Collector (Ic) (Max): | 72A |
| Konfigurace: | Single |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro APT50GT120JRDQ2
| Obraz | Part Number | Výrobci | Popis | Pohled |
|---|---|---|---|---|
 |
APT50GT120JU2 | Microsemi | IGBT 1200V 75A 347W SOT227 | Dotaz |
 |
APT50GP60LDLG | Microsemi | IGBT 600V 150A 625W TO264 | Dotaz |
 |
APT50GT120B2RDQ2G | Microsemi | IGBT 1200V 94A 625W TO247 | Dotaz |
|
APT50GT60BRDQ2G | Microsemi | IGBT 600V 110A 446W TO247 | Dotaz |
 |
APT50M65B2LLG | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 67A T-MAX | Dotaz |
 |
APT50GR120JD30 | Microsemi | IGBT 1200V 84A 417W SOT227 | Dotaz |
|
APT50GT120B2RDLG | Microsemi | IGBT 1200V 106A 694W TO-247 | Dotaz |
 |
APT50M38JLL | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 88A SOT-227 | Dotaz |
|
APT50GS60BRDLG | Microsemi | IGBT 600V 93A 415W TO247 | Dotaz |
 |
APT50GT120LRDQ2G | Microsemi | IGBT 1200V 106A 694W TO264 | Dotaz |
|
APT50GS60BRDQ2G | Microsemi | IGBT 600V 93A 415W TO247 | Dotaz |
|
APT50M65B2FLLG | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 67A T-MAX | Dotaz |
|
APT50GR120L | Microsemi | IGBT 1200V 117A 694W TO264 | Dotaz |
|
APT50M65JFLL | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227 | Dotaz |
|
APT50GR120B2 | Microsemi | IGBT 1200V 117A 694W TO247 | Dotaz |
 |
APT50M50JLL | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 71A SOT-227 | Dotaz |
|
APT50GT120B2RG | Microsemi | IGBT 1200V 94A 625W TO247 | Dotaz |
|
APT50GT60BRG | Microsemi | IGBT 600V 110A 446W TO247 | Dotaz |
|
APT50GS60BRG | Microsemi | IGBT 600V 93A 415W TO247 | Dotaz |
|
APT50GT120JU3 | Microsemi | IGBT 1200V 75A 347W SOT227 | Dotaz |
Latest News
- Finanční zpráva prvního čtvrtletí SEF Semiconductor (ST) se snižuje a poptávka po automobilech se zpomalila
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Místní zralý objem čipu, Samsung Nand Flash Memory Production Capaciption blízko zatížení
- Vishay uvádí na trh Miniled Balení s vysokým jasem Malá modrá a čistě zelená LED
- Ansonmei spustila induktivní snímač pozice pro trh průmyslového a dopravy
- Ruisa zahajuje starou továrnu, aby zvýšila napájecí zařízení, zemětřesení ovlivňuje výstup DRAM mírný
- Mikročip umožňuje výrobní kapacitu TSMC a zvyšuje zvyšování cen
- Ruisa spustila novou řadu RA0 série Ultra -Low Power Entry -level MCU
- Melexis spustí plně integrovaný čip přepínače
- X-Fab zavádí technologii osvětlení zpětného osvětlení obrázků pro zvýšení výkonu senzoru CMOS
- Velká továrna na čipy byla ovlivněna zemětřesením: TSMC přestala naléhavě fungovat a zhoršovala zásobování GPU v nedostatku?
- Paměť Nand Flash pokračuje, MCU Detocking Bottom je správný