APT15S20KG je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro APT15S20KG, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro APT15S20KG e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si APT15S20KG s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
APT15S20KG
- Part Number:
- APT15S20KG
- Výrobce:
- Microsemi
- Popis:
- DIODE SCHOTTKY 200V 25A TO220
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 28627 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- APT15S20KG.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napětí - Peak Reverse (Max): | Schottky |
| Napětí - Forward (VF) (Max) @-li: | 25A |
| Napětí - Rozdělení: | TO-220 [K] |
| Série: | - |
| Stav RoHS: | Tube |
| Reverse Time Recovery (TRR): | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Odpor při IF, F: | - |
| Polarizace: | TO-220-2 |
| Provozní teplota - spojení: | 80ns |
| Typ montáže: | Through Hole |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Výrobní číslo výrobce: | APT15S20KG |
| Rozšířený popis: | Diode Schottky 200V 25A Through Hole TO-220 [K] |
| Konfigurace dioda: | 250µA @ 200V |
| Popis: | DIODE SCHOTTKY 200V 25A TO220 |
| Proud - zpìtný únikový @ Vr: | 830mV @ 15A |
| Proud - Průměrná Rektifikova (Io) (za Diode): | 200V |
| Kapacitní @ Vr, F: | -55°C ~ 150°C |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro APT15S20KG
| Obraz | Part Number | Výrobci | Popis | Pohled |
|---|---|---|---|---|
 |
APT15GP90BDQ1G | Microsemi | IGBT 900V 43A 250W TO247 | Dotaz |
 |
APT17F80S | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 18A D3PAK | Dotaz |
 |
APT15GP90KG | Microsemi | IGBT 900V 43A 250W TO220 | Dotaz |
 |
APT17NTR-G1 | Diodes Incorporated | TRANS NPN 480V SOT23 | Dotaz |
|
APT17F80B | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 18A TO-247 | Dotaz |
 |
APT17F120J | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 18A SOT-227 | Dotaz |
|
APT15GT60BRG | Microsemi | IGBT 600V 42A 184W TO247 | Dotaz |
|
APT17N80SC3G | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 17A D3PAK | Dotaz |
|
APT15S20KCTG | Microsemi | DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO220 | Dotaz |
|
APT15GT120BRDQ1G | Microsemi | IGBT 1200V 36A 250W TO247 | Dotaz |
|
APT17F100B | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 17A TO-247 | Dotaz |
|
APT15GT60KRG | Microsemi | IGBT 600V 42A 184W TO220 | Dotaz |
|
APT17F100S | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 17A D3PAK | Dotaz |
|
APT15GT60BRDQ1G | Microsemi | IGBT 600V 42A 184W TO247 | Dotaz |
|
APT18F60S | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 19A D3PAK | Dotaz |
|
APT17N80BC3G | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 17A TO-247 | Dotaz |
|
APT15S20BCTG | Microsemi | DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO247 | Dotaz |
|
APT15GP90BG | Microsemi | IGBT 900V 43A 250W TO247 | Dotaz |
|
APT15GT120BRG | Microsemi | IGBT 1200V 36A 250W TO247 | Dotaz |
|
APT18F60B | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 18A TO-247 | Dotaz |
Latest News
- Výrobní kapacita HBM je vyloučena, paměť DRAM může být v druhé polovině roku nedostatečná
- Zakladatelé zdi skončí, HBM nebo způsobí, že se opět zvýší DRAM
- Poptávka po mobilním telefonu a expanzi PC, globální polovodičové výroby průmyslu
- Pochopte potřeby systémů monitorování ADAS a kabiny pro obrazové senzory zabezpečení sítě
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC
- Moels Micro Electronics zřídila nové kanceláře na Tchaj -wanu v Číně, aby rozšířila obchodní území
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Finanční zpráva prvního čtvrtletí SEF Semiconductor (ST) se snižuje a poptávka po automobilech se zpomalila
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Místní zralý objem čipu, Samsung Nand Flash Memory Production Capaciption blízko zatížení