AOZ3101DI je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro AOZ3101DI, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro AOZ3101DI e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si AOZ3101DI s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
AOZ3101DI
- Part Number:
- AOZ3101DI
- Popis:
- IC REG BUCK SYNC 2A SOFT-START
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 33690 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- AOZ3101DI.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Série: | * |
| Výrobní standardní doba výroby: | 26 Weeks |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Detailní popis: | Switching Regulator IC Output |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro AOZ3101DI
Latest News
- Micron's Plán vybudovat továrnu, Nand Flash paměť za vysoké ceny nebo údržbu
- Výkon ADI je snížen, vzrostly substráty měděné fólie, skladování původní výroby továrny Konzervativní
- Vlna inteligence v autě přichází a Aimus Oslang pomohl Sagita Juguang uvolnit MX Lidar
- Výrobní kapacita HBM je vyloučena, paměť DRAM může být v druhé polovině roku nedostatečná
- Zakladatelé zdi skončí, HBM nebo způsobí, že se opět zvýší DRAM
- Poptávka po mobilním telefonu a expanzi PC, globální polovodičové výroby průmyslu
- Pochopte potřeby systémů monitorování ADAS a kabiny pro obrazové senzory zabezpečení sítě
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC
- Moels Micro Electronics zřídila nové kanceláře na Tchaj -wanu v Číně, aby rozšířila obchodní území
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory