ALD110802PCL je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro ALD110802PCL, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro ALD110802PCL e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si ALD110802PCL s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
ALD110802PCL
- Part Number:
- ALD110802PCL
- Výrobce:
- Advanced Linear Devices, Inc.
- Popis:
- MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIP
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 30270 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- ALD110802PCL.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Vgs (th) (max) 'Id: | 220mV @ 1µA |
| Dodavatel zařízení Package: | 16-PDIP |
| Série: | EPAD® |
| RDS On (Max) @ Id, Vgs: | 500 Ohm @ 4.2V |
| Power - Max: | 500mW |
| Obal: | Tube |
| Paket / krabice: | 16-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Ostatní jména: | 1014-1020 |
| Provozní teplota: | 0°C ~ 70°C (TJ) |
| Typ montáže: | Through Hole |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Výrobní standardní doba výroby: | 8 Weeks |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds: | 2.5pF @ 5V |
| Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs: | - |
| Typ FET: | 4 N-Channel, Matched Pair |
| FET Feature: | Standard |
| Drain na zdroj napětí (Vdss): | 10.6V |
| Detailní popis: | Mosfet Array 4 N-Channel, Matched Pair 10.6V 500mW Through Hole 16-PDIP |
| Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C: | - |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro ALD110802PCL
Latest News
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Místní zralý objem čipu, Samsung Nand Flash Memory Production Capaciption blízko zatížení
- Vishay uvádí na trh Miniled Balení s vysokým jasem Malá modrá a čistě zelená LED
- Ansonmei spustila induktivní snímač pozice pro trh průmyslového a dopravy
- Ruisa zahajuje starou továrnu, aby zvýšila napájecí zařízení, zemětřesení ovlivňuje výstup DRAM mírný
- Mikročip umožňuje výrobní kapacitu TSMC a zvyšuje zvyšování cen
- Ruisa spustila novou řadu RA0 série Ultra -Low Power Entry -level MCU
- Melexis spustí plně integrovaný čip přepínače
- X-Fab zavádí technologii osvětlení zpětného osvětlení obrázků pro zvýšení výkonu senzoru CMOS
- Velká továrna na čipy byla ovlivněna zemětřesením: TSMC přestala naléhavě fungovat a zhoršovala zásobování GPU v nedostatku?
- Paměť Nand Flash pokračuje, MCU Detocking Bottom je správný
- Pod zásuvkou AI vzduch jsou dva hlavní giganty čipu „nejsou silní“: rozbíjení peněz na rozbití hry, vsazení na 2025 týmové bitvy