AGQ20TA06Z je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro AGQ20TA06Z, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro AGQ20TA06Z e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si AGQ20TA06Z s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
AGQ20TA06Z
- Part Number:
- AGQ20TA06Z
- Výrobce:
- Panasonic
- Popis:
- RELAY GEN PURPOSE DPDT 2A 125V
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 27452 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- AGQ20TA06Z.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Zapnout napìtí (Max): | 4.5 VDC |
| Vypnout napìtí (Min): | 0.6 VDC |
| styl koncovky: | Gull Wing |
| spínací napětí: | 125VAC, 110VDC - Max |
| Série: | AGQ TH |
| Doba uvolnění: | 4ms |
| Typ relé: | General Purpose |
| Obal: | Tape & Reel (TR) |
| Provozní teplota: | -40°C ~ 85°C |
| vypínací čas: | 4ms |
| Typ montáže: | Surface Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 2A (4 Weeks) |
| Výrobní standardní doba výroby: | 30 Weeks |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Funkce: | - |
| Detailní popis: | General Purpose Relay DPDT (2 Form C) Surface Mount |
| Kontakt Rating (aktuální): | 2A |
| Materiál kontaktu: | Silver Nickel (AgNi), Gold (Au) |
| Kontaktní formulář: | DPDT (2 Form C) |
| Coil Voltage: | 6VDC |
| Typ cívky: | Non Latching |
| Odpor cívky: | 257 Ohms |
| Coil Power: | 140 mW |
| Coil Current: | 23.3mA |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro AGQ20TA06Z
| Obraz | Part Number | Výrobci | Popis | Pohled |
|---|---|---|---|---|
 |
AGQ20TA1H | Panasonic | RELAY GEN PURPOSE DPDT 2A 125V | Dotaz |
|
AGQ20TA09 | Panasonic | RELAY GEN PURPOSE DPDT 2A 125V | Dotaz |
 |
AGQ20T1H | Panasonic | RELAY GEN PURPOSE DPDT 2A 125V | Dotaz |
|
AGQ20TA03Z | Panasonic | RELAY GEN PURPOSE DPDT 2A 125V | Dotaz |
|
AGQ20TA12X | Panasonic | RELAY GEN PURPOSE DPDT 2A 125V | Dotaz |
|
AGQ20TA1HX | Panasonic | RELAY GEN PURPOSE DPDT 2A 125V | Dotaz |
|
AGQ20TA09Z | Panasonic | RELAY GEN PURPOSE DPDT 2A 125V | Dotaz |
|
AGQ20TA1HZ | Panasonic | RELAY GEN PURPOSE DPDT 2A 125V | Dotaz |
|
AGQ20TA24 | Panasonic | RELAY GEN PURPOSE DPDT 2A 125V | Dotaz |
|
AGQ20TA12 | Panasonic | RELAY GEN PURPOSE DPDT 2A 125V | Dotaz |
|
AGQ20T12 | Panasonic | RELAY GEN PURPOSE DPDT 2A 125V | Dotaz |
|
AGQ20TA12Z | Panasonic | RELAY GEN PURPOSE DPDT 2A 125V | Dotaz |
|
AGQ20TA06 | Panasonic | RELAY GEN PURPOSE DPDT 2A 125V | Dotaz |
|
AGQ20T4H | Panasonic | RELAY GEN PURPOSE DPDT 2A 125V | Dotaz |
|
AGQ20TA03 | Panasonic | RELAY GEN PURPOSE DPDT 2A 125V | Dotaz |
|
AGQ20T24 | Panasonic | RELAY GEN PURPOSE DPDT 2A 125V | Dotaz |
|
AGQ20TA09X | Panasonic | RELAY GEN PURPOSE DPDT 2A 125V | Dotaz |
|
AGQ20TA06X | Panasonic | RELAY GEN PURPOSE DPDT 2A 125V | Dotaz |
|
AGQ20T2H | Panasonic | RELAY GEN PURPOSE DPDT 2A 125V | Dotaz |
|
AGQ20TA03X | Panasonic | RELAY GEN PURPOSE DPDT 2A 125V | Dotaz |
Latest News
- Moels Micro Electronics zřídila nové kanceláře na Tchaj -wanu v Číně, aby rozšířila obchodní území
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Finanční zpráva prvního čtvrtletí SEF Semiconductor (ST) se snižuje a poptávka po automobilech se zpomalila
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Místní zralý objem čipu, Samsung Nand Flash Memory Production Capaciption blízko zatížení
- Vishay uvádí na trh Miniled Balení s vysokým jasem Malá modrá a čistě zelená LED
- Ansonmei spustila induktivní snímač pozice pro trh průmyslového a dopravy
- Ruisa zahajuje starou továrnu, aby zvýšila napájecí zařízení, zemětřesení ovlivňuje výstup DRAM mírný
- Mikročip umožňuje výrobní kapacitu TSMC a zvyšuje zvyšování cen
- Ruisa spustila novou řadu RA0 série Ultra -Low Power Entry -level MCU
- Melexis spustí plně integrovaný čip přepínače
- X-Fab zavádí technologii osvětlení zpětného osvětlení obrázků pro zvýšení výkonu senzoru CMOS