A2T18S262W12NR3 je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro A2T18S262W12NR3, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro A2T18S262W12NR3 e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si A2T18S262W12NR3 s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
A2T18S262W12NR3
- Part Number:
- A2T18S262W12NR3
- Výrobce:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Popis:
- AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
- Množství zásob:
- 24904 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- A2T18S262W12NR3.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napětí - Test: | 28V |
| Napětí - Jmenovitá: | 65V |
| Transistor Type: | LDMOS |
| Dodavatel zařízení Package: | OM-880X-2L2L |
| Série: | - |
| Power - Výstup: | 231W |
| Paket / krabice: | OM-880X-2L2L |
| Ostatní jména: | 935346497528 |
| hluk Obrázek: | - |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Získat: | 19.3dB |
| Frekvence: | 1.805GHz ~ 1.88GHz |
| Detailní popis: | RF Mosfet LDMOS 28V 1.6A 1.805GHz ~ 1.88GHz 19.3dB 231W OM-880X-2L2L |
| Jmenovitá hodnota proudu: | 10µA |
| Aktuální - Test: | 1.6A |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro A2T18S262W12NR3
Latest News
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC
- Moels Micro Electronics zřídila nové kanceláře na Tchaj -wanu v Číně, aby rozšířila obchodní území
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Finanční zpráva prvního čtvrtletí SEF Semiconductor (ST) se snižuje a poptávka po automobilech se zpomalila
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Místní zralý objem čipu, Samsung Nand Flash Memory Production Capaciption blízko zatížení
- Vishay uvádí na trh Miniled Balení s vysokým jasem Malá modrá a čistě zelená LED
- Ansonmei spustila induktivní snímač pozice pro trh průmyslového a dopravy
- Ruisa zahajuje starou továrnu, aby zvýšila napájecí zařízení, zemětřesení ovlivňuje výstup DRAM mírný
- Mikročip umožňuje výrobní kapacitu TSMC a zvyšuje zvyšování cen