8EWS08STRR je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro 8EWS08STRR, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro 8EWS08STRR e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si 8EWS08STRR s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
8EWS08STRR
- Part Number:
- 8EWS08STRR
- Výrobce:
- Popis:
- DIODE GEN PURP 800V 8A DPAK
- Vedoucí volný stav:
- Obsahuje olověný / RoHS neodpovídající
- Množství zásob:
- 30486 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- 8EWS08STRR.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napětí - Peak Reverse (Max): | Standard |
| Napětí - Forward (VF) (Max) @-li: | 8A |
| Napětí - Rozdělení: | D-PAK (TO-252AA) |
| Série: | - |
| Stav RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| Reverse Time Recovery (TRR): | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Odpor při IF, F: | - |
| Polarizace: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Ostatní jména: | VS-8EWS08STRR VS-8EWS08STRR-ND VS8EWS08STRR VS8EWS08STRR-ND |
| Typ montáže: | Surface Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Výrobní číslo výrobce: | 8EWS08STRR |
| Rozšířený popis: | Diode Standard 800V 8A Surface Mount D-PAK (TO-252AA) |
| Konfigurace dioda: | 50µA @ 800V |
| Popis: | DIODE GEN PURP 800V 8A DPAK |
| Proud - zpìtný únikový @ Vr: | 1.1V @ 8A |
| Proud - Průměrná Rektifikova (Io) (za Diode): | 800V |
| Kapacitní @ Vr, F: | -55°C ~ 150°C |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro 8EWS08STRR
Latest News
- AI simulační cyklus dotaz, AI řídí poptávka po paměti Flash paměť
- Micron's Plán vybudovat továrnu, Nand Flash paměť za vysoké ceny nebo údržbu
- Výkon ADI je snížen, vzrostly substráty měděné fólie, skladování původní výroby továrny Konzervativní
- Vlna inteligence v autě přichází a Aimus Oslang pomohl Sagita Juguang uvolnit MX Lidar
- Výrobní kapacita HBM je vyloučena, paměť DRAM může být v druhé polovině roku nedostatečná
- Zakladatelé zdi skončí, HBM nebo způsobí, že se opět zvýší DRAM
- Poptávka po mobilním telefonu a expanzi PC, globální polovodičové výroby průmyslu
- Pochopte potřeby systémů monitorování ADAS a kabiny pro obrazové senzory zabezpečení sítě
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC
- Moels Micro Electronics zřídila nové kanceláře na Tchaj -wanu v Číně, aby rozšířila obchodní území