70T3599S166DR je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro 70T3599S166DR, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro 70T3599S166DR e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si 70T3599S166DR s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
70T3599S166DR
- Part Number:
- 70T3599S166DR
- Popis:
- IC SRAM 4.5M PARALLEL 208PQFP
- Vedoucí volný stav:
- Obsahuje olověný / RoHS neodpovídající
- Množství zásob:
- 32421 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- 1.70T3599S166DR.pdf2.70T3599S166DR.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napište čas cyklu - slovo,: | - |
| Napětí - Supply: | 2.4 V ~ 2.6 V |
| Technika: | SRAM - Dual Port, Synchronous |
| Dodavatel zařízení Package: | 208-PQFP (28x28) |
| Série: | - |
| Obal: | Tray |
| Paket / krabice: | 208-BFQFP |
| Ostatní jména: | IDT70T3599S166DR IDT70T3599S166DR-ND |
| Provozní teplota: | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Typ montáže: | Surface Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Typ paměti: | Volatile |
| Velikost paměti: | 4.5Mb (128K x 36) |
| Paměťové rozhraní: | Parallel |
| Formát paměti: | SRAM |
| Stav volného vedení / RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Detailní popis: | SRAM - Dual Port, Synchronous Memory IC 4.5Mb (128K x 36) Parallel 166MHz 3.6ns 208-PQFP (28x28) |
| Frekvence hodin: | 166MHz |
| Číslo základní části: | IDT70T3599 |
| přístupová doba: | 3.6ns |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro 70T3599S166DR
Latest News
- Výrobní kapacita HBM je vyloučena, paměť DRAM může být v druhé polovině roku nedostatečná
- Zakladatelé zdi skončí, HBM nebo způsobí, že se opět zvýší DRAM
- Poptávka po mobilním telefonu a expanzi PC, globální polovodičové výroby průmyslu
- Pochopte potřeby systémů monitorování ADAS a kabiny pro obrazové senzory zabezpečení sítě
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC
- Moels Micro Electronics zřídila nové kanceláře na Tchaj -wanu v Číně, aby rozšířila obchodní území
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Finanční zpráva prvního čtvrtletí SEF Semiconductor (ST) se snižuje a poptávka po automobilech se zpomalila
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Místní zralý objem čipu, Samsung Nand Flash Memory Production Capaciption blízko zatížení