2SB14160RA je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro 2SB14160RA, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro 2SB14160RA e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si 2SB14160RA s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
2SB14160RA
- Part Number:
- 2SB14160RA
- Výrobce:
- Panasonic
- Popis:
- TRANS PNP 60V 3A MT-3
- Vedoucí volný stav:
- Obsahuje olověný / RoHS neodpovídající
- Množství zásob:
- 32924 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- 2SB14160RA.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napětí - kolektoru emitoru Breakdown (Max): | 60V |
| VCE Saturation (Max) @ IB, IC: | 1.2V @ 375mA, 3A |
| Transistor Type: | PNP |
| Dodavatel zařízení Package: | MT-3-A1 |
| Série: | - |
| Power - Max: | 1.5W |
| Obal: | Cut Tape (CT) |
| Paket / krabice: | 3-SIP |
| Ostatní jména: | 2SB14160RACT |
| Provozní teplota: | 150°C (TJ) |
| Typ montáže: | Through Hole |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stav volného vedení / RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Frekvence - Přechod: | 270MHz |
| Detailní popis: | Bipolar (BJT) Transistor PNP 60V 3A 270MHz 1.5W Through Hole MT-3-A1 |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 120 @ 1A, 4V |
| Aktuální - sběratel Cutoff (Max): | 300µA |
| Proud - Collector (Ic) (Max): | 3A |
| Číslo základní části: | 2SB1416 |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro 2SB14160RA
Latest News
- Qorvo spustil vynikající odvětví vysoce -gain 5g mmimo předběžného
- AI simulační cyklus dotaz, AI řídí poptávka po paměti Flash paměť
- Micron's Plán vybudovat továrnu, Nand Flash paměť za vysoké ceny nebo údržbu
- Výkon ADI je snížen, vzrostly substráty měděné fólie, skladování původní výroby továrny Konzervativní
- Vlna inteligence v autě přichází a Aimus Oslang pomohl Sagita Juguang uvolnit MX Lidar
- Výrobní kapacita HBM je vyloučena, paměť DRAM může být v druhé polovině roku nedostatečná
- Zakladatelé zdi skončí, HBM nebo způsobí, že se opět zvýší DRAM
- Poptávka po mobilním telefonu a expanzi PC, globální polovodičové výroby průmyslu
- Pochopte potřeby systémů monitorování ADAS a kabiny pro obrazové senzory zabezpečení sítě
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC