2SB1219GSL je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro 2SB1219GSL, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro 2SB1219GSL e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si 2SB1219GSL s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
2SB1219GSL
- Part Number:
- 2SB1219GSL
- Výrobce:
- Panasonic
- Popis:
- TRANS PNP 50V 0.5A SMINI-3
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 31327 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- 2SB1219GSL.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napětí - kolektoru emitoru Breakdown (Max): | 50V |
| VCE Saturation (Max) @ IB, IC: | 600mV @ 30mA, 300mA |
| Transistor Type: | PNP |
| Dodavatel zařízení Package: | SMini3-F2 |
| Série: | - |
| Power - Max: | 150mW |
| Obal: | Tape & Reel (TR) |
| Paket / krabice: | SC-85 |
| Ostatní jména: | 2SB1219GSLTR |
| Provozní teplota: | 150°C (TJ) |
| Typ montáže: | Surface Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frekvence - Přechod: | 200MHz |
| Detailní popis: | Bipolar (BJT) Transistor PNP 50V 500mA 200MHz 150mW Surface Mount SMini3-F2 |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 170 @ 150mA, 10V |
| Aktuální - sběratel Cutoff (Max): | 100nA (ICBO) |
| Proud - Collector (Ic) (Max): | 500mA |
| Číslo základní části: | 2SB1219 |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro 2SB1219GSL
| Obraz | Part Number | Výrobci | Popis | Pohled |
|---|---|---|---|---|
 |
2SB12200RL | Panasonic | TRANS PNP 150V 0.05A SMINI-3 | Dotaz |
|
2SB1218GRL | Panasonic | TRANS PNP 45V 0.1A SMINI 3P | Dotaz |
 |
2SB1237TV2P | LAPIS Semiconductor | TRANS PNP 32V 1A ATV | Dotaz |
|
2SB1218G0L | Panasonic | TRANS PNP 45V 0.1A SMINI-3 | Dotaz |
|
2SB1237TV2R | LAPIS Semiconductor | TRANS PNP 32V 1A ATV | Dotaz |
|
2SB1236TV2R | LAPIS Semiconductor | TRANS PNP 120V 1.5A ATV | Dotaz |
|
2SB12190RL | Panasonic | TRANS PNP 25V 0.5A SMINI 3P | Dotaz |
|
2SB1236ATV2P | LAPIS Semiconductor | TRANS PNP 160V 1.5A ATV | Dotaz |
|
2SB1218GSL | Panasonic | TRANS PNP 45V 0.1A SMINI-3 | Dotaz |
|
2SB1219ASL | Panasonic | TRANS PNP 50V 0.5A SMINI 3P | Dotaz |
|
2SB1218ASL | Panasonic | TRANS PNP 45V 0.1A SMINI 3P | Dotaz |
|
2SB1236ATV2Q | LAPIS Semiconductor | TRANS PNP 160V 1.5A ATV | Dotaz |
|
2SB1237TV2Q | LAPIS Semiconductor | TRANS PNP 32V 1A ATV | Dotaz |
|
2SB1218ARL | Panasonic | TRANS PNP 45V 0.1A SMINI 3P | Dotaz |
|
2SB1236TV2Q | LAPIS Semiconductor | TRANS PNP 120V 1.5A ATV | Dotaz |
|
2SB1218A0L | Panasonic | TRANS PNP 45V 0.1A SMINI 3P | Dotaz |
 |
2SB12210QA | Panasonic | TRANS PNP 200V 0.07A TO-92NL | Dotaz |
|
2SB1218GQL | Panasonic | TRANS PNP 45V 0.1A SMINI-3 | Dotaz |
|
2SB1220GRL | Panasonic | TRANS PNP 150V 0.05A SMINI-3 | Dotaz |
|
2SB1218AQL | Panasonic | TRANS PNP 45V 0.1A SMINI 3P | Dotaz |
Latest News
- Výrobní kapacita HBM je vyloučena, paměť DRAM může být v druhé polovině roku nedostatečná
- Zakladatelé zdi skončí, HBM nebo způsobí, že se opět zvýší DRAM
- Poptávka po mobilním telefonu a expanzi PC, globální polovodičové výroby průmyslu
- Pochopte potřeby systémů monitorování ADAS a kabiny pro obrazové senzory zabezpečení sítě
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC
- Moels Micro Electronics zřídila nové kanceláře na Tchaj -wanu v Číně, aby rozšířila obchodní území
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Finanční zpráva prvního čtvrtletí SEF Semiconductor (ST) se snižuje a poptávka po automobilech se zpomalila
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Místní zralý objem čipu, Samsung Nand Flash Memory Production Capaciption blízko zatížení