2SA1179N6-CPA-TB-E je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro 2SA1179N6-CPA-TB-E, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro 2SA1179N6-CPA-TB-E e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si 2SA1179N6-CPA-TB-E s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
2SA1179N6-CPA-TB-E
- Part Number:
- 2SA1179N6-CPA-TB-E
- Popis:
- TRANS PNP 50V 0.15A CP
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 42677 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- 2SA1179N6-CPA-TB-E.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napětí - kolektoru emitoru Breakdown (Max): | 50V |
| VCE Saturation (Max) @ IB, IC: | 500mV @ 5mA, 50mA |
| Transistor Type: | PNP |
| Série: | - |
| Power - Max: | 200mW |
| Obal: | Tape & Reel (TR) |
| Paket / krabice: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Provozní teplota: | 150°C (TJ) |
| Typ montáže: | Surface Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frekvence - Přechod: | 180MHz |
| Detailní popis: | Bipolar (BJT) Transistor PNP 50V 150mA 180MHz 200mW Surface Mount |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 200 @ 1mA, 6V |
| Aktuální - sběratel Cutoff (Max): | 100nA (ICBO) |
| Proud - Collector (Ic) (Max): | 150mA |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro 2SA1179N6-CPA-TB-E
Latest News
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC
- Moels Micro Electronics zřídila nové kanceláře na Tchaj -wanu v Číně, aby rozšířila obchodní území
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Finanční zpráva prvního čtvrtletí SEF Semiconductor (ST) se snižuje a poptávka po automobilech se zpomalila
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Místní zralý objem čipu, Samsung Nand Flash Memory Production Capaciption blízko zatížení
- Vishay uvádí na trh Miniled Balení s vysokým jasem Malá modrá a čistě zelená LED
- Ansonmei spustila induktivní snímač pozice pro trh průmyslového a dopravy
- Ruisa zahajuje starou továrnu, aby zvýšila napájecí zařízení, zemětřesení ovlivňuje výstup DRAM mírný
- Mikročip umožňuje výrobní kapacitu TSMC a zvyšuje zvyšování cen