2N4859A je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro 2N4859A, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro 2N4859A e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si 2N4859A s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
2N4859A
- Part Number:
- 2N4859A
- Výrobce:
- Central Semiconductor
- Popis:
- JFET N-CH 30V 50MA 360MW TO18
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 43523 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- 2N4859A.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napětí - Cutoff (VGS off) 'Id: | 10V @ 500pA |
| Napětí - Breakdown (V (BR) GSS): | 30V |
| Dodavatel zařízení Package: | TO-18 |
| Série: | - |
| Odolnost - RDS (On): | 25 Ohms |
| Power - Max: | 360mW |
| Obal: | Bulk |
| Paket / krabice: | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
| Ostatní jména: | 2N4859A PBFREE |
| Provozní teplota: | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Typ montáže: | Through Hole |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds: | 10pF @ 10V (VGS) |
| Typ FET: | N-Channel |
| Drain na zdroj napětí (Vdss): | 30V |
| Detailní popis: | JFET N-Channel 30V 250pA 360mW Through Hole TO-18 |
| Aktuální Drain (Id) - Max: | 250pA |
| Proud - Drain (IDS) @ VDS (Vgs = 0): | 50mA @ 15V |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro 2N4859A
Latest News
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC
- Moels Micro Electronics zřídila nové kanceláře na Tchaj -wanu v Číně, aby rozšířila obchodní území
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Finanční zpráva prvního čtvrtletí SEF Semiconductor (ST) se snižuje a poptávka po automobilech se zpomalila
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Místní zralý objem čipu, Samsung Nand Flash Memory Production Capaciption blízko zatížení
- Vishay uvádí na trh Miniled Balení s vysokým jasem Malá modrá a čistě zelená LED
- Ansonmei spustila induktivní snímač pozice pro trh průmyslového a dopravy
- Ruisa zahajuje starou továrnu, aby zvýšila napájecí zařízení, zemětřesení ovlivňuje výstup DRAM mírný
- Mikročip umožňuje výrobní kapacitu TSMC a zvyšuje zvyšování cen
- Ruisa spustila novou řadu RA0 série Ultra -Low Power Entry -level MCU
- Melexis spustí plně integrovaný čip přepínače