2ED020I12FAXUMA2 je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro 2ED020I12FAXUMA2, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro 2ED020I12FAXUMA2 e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si 2ED020I12FAXUMA2 s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
2ED020I12FAXUMA2
- Part Number:
- 2ED020I12FAXUMA2
- Popis:
- IC DRIVER IGBT DSO36
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 42038 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- 2ED020I12FAXUMA2.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napětí - Supply: | 13 V ~ 20 V |
| Dodavatel zařízení Package: | PG-DSO-36-58 |
| Série: | EiceDriver™ |
| Doba vzestupu / pádu (typ): | 30ns, 50ns |
| Obal: | Tape & Reel (TR) |
| Paket / krabice: | 36-BSSOP (0.295", 7.50mm Width), 32 Leads |
| Ostatní jména: | 2ED020I12FAXUMA2-ND 2ED020I12FAXUMA2TR SP001054678 |
| Provozní teplota: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| vstupní frekvence: | 2 |
| Typ montáže: | Surface Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Výrobní standardní doba výroby: | 26 Weeks |
| Logické napětí - VIL, VIH: | 1.5V, 3.5V |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Typ vstupu: | Inverting, Non-Inverting |
| High Voltage Side - Max (Bootstrap): | 1200V |
| Typ brány: | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET |
| Řízená konfigurace: | Half-Bridge |
| Detailní popis: | Half-Bridge Gate Driver IC Inverting, Non-Inverting PG-DSO-36-58 |
| Aktuální - špičkový výstup (zdroj, dřez): | 2.4A, 2.4A |
| Base-emiter (Max): | Independent |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro 2ED020I12FAXUMA2
Latest News
- Qorvo spustil vynikající odvětví vysoce -gain 5g mmimo předběžného
- AI simulační cyklus dotaz, AI řídí poptávka po paměti Flash paměť
- Micron's Plán vybudovat továrnu, Nand Flash paměť za vysoké ceny nebo údržbu
- Výkon ADI je snížen, vzrostly substráty měděné fólie, skladování původní výroby továrny Konzervativní
- Vlna inteligence v autě přichází a Aimus Oslang pomohl Sagita Juguang uvolnit MX Lidar
- Výrobní kapacita HBM je vyloučena, paměť DRAM může být v druhé polovině roku nedostatečná
- Zakladatelé zdi skončí, HBM nebo způsobí, že se opět zvýší DRAM
- Poptávka po mobilním telefonu a expanzi PC, globální polovodičové výroby průmyslu
- Pochopte potřeby systémů monitorování ADAS a kabiny pro obrazové senzory zabezpečení sítě
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC