28A5131-0A2 je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro 28A5131-0A2, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro 28A5131-0A2 e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si 28A5131-0A2 s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
28A5131-0A2
- Part Number:
- 28A5131-0A2
- Výrobce:
- Laird Technologies
- Popis:
- FERRITE CORE 425 OHM HINGED
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 33418 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Typ: | Round |
| Série: | 28 |
| hodnocení: | - |
| Vnější rozměr: | 2.356" W x 2.230" H (59.83mm x 56.64mm) |
| Ostatní jména: | 240-2199 28A51310A2 |
| Typ montáže: | Free Hanging |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | Not Applicable |
| Materiál: | 28 |
| Výrobní standardní doba výroby: | 10 Weeks |
| Délka: | 1.772" (45.00mm) |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Vnitřní rozměr: | 1.000" Dia (25.40mm) |
| Impedance @ Frekvence: | 425 Ohm @ 100MHz |
| Detailní popis: | Hinged (Snap On) Free Hanging Ferrite Core 425 Ohm @ 100MHz ID 1.000" Dia (25.40mm) OD 2.356" W x 2.230" H (59.83mm x 56.64mm) Length 1.772" (45.00mm) |
| Design: | Hinged (Snap On) |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro 28A5131-0A2
Latest News
- Finanční zpráva prvního čtvrtletí SEF Semiconductor (ST) se snižuje a poptávka po automobilech se zpomalila
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Místní zralý objem čipu, Samsung Nand Flash Memory Production Capaciption blízko zatížení
- Vishay uvádí na trh Miniled Balení s vysokým jasem Malá modrá a čistě zelená LED
- Ansonmei spustila induktivní snímač pozice pro trh průmyslového a dopravy
- Ruisa zahajuje starou továrnu, aby zvýšila napájecí zařízení, zemětřesení ovlivňuje výstup DRAM mírný
- Mikročip umožňuje výrobní kapacitu TSMC a zvyšuje zvyšování cen
- Ruisa spustila novou řadu RA0 série Ultra -Low Power Entry -level MCU
- Melexis spustí plně integrovaný čip přepínače
- X-Fab zavádí technologii osvětlení zpětného osvětlení obrázků pro zvýšení výkonu senzoru CMOS
- Velká továrna na čipy byla ovlivněna zemětřesením: TSMC přestala naléhavě fungovat a zhoršovala zásobování GPU v nedostatku?
- Paměť Nand Flash pokračuje, MCU Detocking Bottom je správný