1N5400G je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro 1N5400G, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro 1N5400G e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si 1N5400G s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
1N5400G
- Part Number:
- 1N5400G
- Popis:
- DIODE GEN PURP 50V 3A DO201AD
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 21715 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- 1N5400G.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napětí - Forward (VF) (Max) @-li: | 1V @ 3A |
| Napětí - DC Reverse (Vr) (Max): | 50V |
| Dodavatel zařízení Package: | DO-201AD |
| Rychlost: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Série: | - |
| Obal: | Bulk |
| Paket / krabice: | DO-201AA, DO-27, Axial |
| Ostatní jména: | 1N5400GOS |
| Provozní teplota - spojení: | -65°C ~ 150°C |
| Typ montáže: | Through Hole |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Výrobní standardní doba výroby: | 16 Weeks |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Diode Type: | Standard |
| Detailní popis: | Diode Standard 50V 3A Through Hole DO-201AD |
| Proud - zpìtný únikový @ Vr: | 10µA @ 50V |
| Proud - Průměrná Rektifikova (Io): | 3A |
| Kapacitní @ Vr, F: | - |
| Číslo základní části: | 1N5400 |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro 1N5400G
Latest News
- Výrobní kapacita HBM je vyloučena, paměť DRAM může být v druhé polovině roku nedostatečná
- Zakladatelé zdi skončí, HBM nebo způsobí, že se opět zvýší DRAM
- Poptávka po mobilním telefonu a expanzi PC, globální polovodičové výroby průmyslu
- Pochopte potřeby systémů monitorování ADAS a kabiny pro obrazové senzory zabezpečení sítě
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC
- Moels Micro Electronics zřídila nové kanceláře na Tchaj -wanu v Číně, aby rozšířila obchodní území
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Finanční zpráva prvního čtvrtletí SEF Semiconductor (ST) se snižuje a poptávka po automobilech se zpomalila
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Místní zralý objem čipu, Samsung Nand Flash Memory Production Capaciption blízko zatížení