1N4751APE3/TR12 je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro 1N4751APE3/TR12, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro 1N4751APE3/TR12 e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si 1N4751APE3/TR12 s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
1N4751APE3/TR12
- Part Number:
- 1N4751APE3/TR12
- Výrobce:
- Microsemi
- Popis:
- DIODE ZENER 30V 1W DO204AL
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 58475 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- 1N4751APE3/TR12.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napětí - Izolace: | 40 Ohm |
| Napětí - Rozdělení: | DO-204AL (DO-41) |
| Série: | - |
| Stav RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| Power - Max: | 1W |
| Polarizace: | DO-204AL, DO-41, Axial |
| Provozní teplota: | -65°C ~ 150°C |
| Typ montáže: | Through Hole |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Výrobní standardní doba výroby: | 20 Weeks |
| Výrobní číslo výrobce: | 1N4751APE3/TR12 |
| Impedance (Max) (ZZT): | 30V |
| Rozšířený popis: | Zener Diode 1W ±5% Through Hole DO-204AL (DO-41) |
| ESR (Equivalent Resistance Series): | ±5% |
| Konfigurace dioda: | 5µA @ 22.8V |
| Popis: | DIODE ZENER 30V 1W DO204AL |
| Proud - zpìtný únikový @ Vr: | 1.2V @ 200mA |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro 1N4751APE3/TR12
Latest News
- Finanční zpráva prvního čtvrtletí SEF Semiconductor (ST) se snižuje a poptávka po automobilech se zpomalila
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Místní zralý objem čipu, Samsung Nand Flash Memory Production Capaciption blízko zatížení
- Vishay uvádí na trh Miniled Balení s vysokým jasem Malá modrá a čistě zelená LED
- Ansonmei spustila induktivní snímač pozice pro trh průmyslového a dopravy
- Ruisa zahajuje starou továrnu, aby zvýšila napájecí zařízení, zemětřesení ovlivňuje výstup DRAM mírný
- Mikročip umožňuje výrobní kapacitu TSMC a zvyšuje zvyšování cen
- Ruisa spustila novou řadu RA0 série Ultra -Low Power Entry -level MCU
- Melexis spustí plně integrovaný čip přepínače
- X-Fab zavádí technologii osvětlení zpětného osvětlení obrázků pro zvýšení výkonu senzoru CMOS
- Velká továrna na čipy byla ovlivněna zemětřesením: TSMC přestala naléhavě fungovat a zhoršovala zásobování GPU v nedostatku?
- Paměť Nand Flash pokračuje, MCU Detocking Bottom je správný