1N4148W-E3-08 je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro 1N4148W-E3-08, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro 1N4148W-E3-08 e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si 1N4148W-E3-08 s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
1N4148W-E3-08
- Part Number:
- 1N4148W-E3-08
- Výrobce:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Popis:
- DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 27968 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- 1N4148W-E3-08.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napětí - Forward (VF) (Max) @-li: | 1.2V @ 100mA |
| Napětí - DC Reverse (Vr) (Max): | 75V |
| Dodavatel zařízení Package: | SOD-123 |
| Rychlost: | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Série: | - |
| Reverse Time Recovery (TRR): | 4ns |
| Obal: | Original-Reel® |
| Paket / krabice: | SOD-123 |
| Ostatní jména: | 1N4148W-E3-08DKR 1N4148W-V-GS08DKR 1N4148W-V-GS08DKR-ND |
| Provozní teplota - spojení: | 150°C (Max) |
| Typ montáže: | Surface Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Výrobní standardní doba výroby: | 49 Weeks |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Diode Type: | Standard |
| Detailní popis: | Diode Standard 75V 150mA Surface Mount SOD-123 |
| Proud - zpìtný únikový @ Vr: | 100µA @ 100V |
| Proud - Průměrná Rektifikova (Io): | 150mA |
| Kapacitní @ Vr, F: | 4pF @ 0V, 1MHz |
| Číslo základní části: | 1N4148W |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro 1N4148W-E3-08
Latest News
- AI simulační cyklus dotaz, AI řídí poptávka po paměti Flash paměť
- Micron's Plán vybudovat továrnu, Nand Flash paměť za vysoké ceny nebo údržbu
- Výkon ADI je snížen, vzrostly substráty měděné fólie, skladování původní výroby továrny Konzervativní
- Vlna inteligence v autě přichází a Aimus Oslang pomohl Sagita Juguang uvolnit MX Lidar
- Výrobní kapacita HBM je vyloučena, paměť DRAM může být v druhé polovině roku nedostatečná
- Zakladatelé zdi skončí, HBM nebo způsobí, že se opět zvýší DRAM
- Poptávka po mobilním telefonu a expanzi PC, globální polovodičové výroby průmyslu
- Pochopte potřeby systémů monitorování ADAS a kabiny pro obrazové senzory zabezpečení sítě
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC
- Moels Micro Electronics zřídila nové kanceláře na Tchaj -wanu v Číně, aby rozšířila obchodní území