199D686X96R3D6V1E3 je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro 199D686X96R3D6V1E3, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro 199D686X96R3D6V1E3 e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si 199D686X96R3D6V1E3 s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
199D686X96R3D6V1E3
- Part Number:
- 199D686X96R3D6V1E3
- Výrobce:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Popis:
- CAP TANT 68UF 6.3V 10% RADIAL
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 50820 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- 199D686X96R3D6V1E3.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napětí - Jmenovitá: | 6.3V |
| Typ: | Conformal Coated |
| Tolerance: | ±10% |
| Velikost / Rozměry: | 0.236" Dia (6.00mm) |
| Série: | TANTALEX®, 199D |
| Obal: | Bulk |
| Paket / krabice: | Radial |
| Provozní teplota: | -55°C ~ 125°C |
| Typ montáže: | Through Hole |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Výrobní standardní doba výroby: | 9 Weeks |
| Výrobce Size Code: | D |
| Životnost @ Temp.: | 1000 Hrs @ 85°C |
| Rozestup vývodù: | 0.200" (5.08mm) |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Výška - Sedící (Max): | 0.498" (12.66mm) |
| Funkce: | General Purpose |
| Poruchovost: | - |
| ESR (Equivalent Resistance Series): | - |
| Detailní popis: | 68µF Conformal Coated Tantalum Capacitors 6.3V Radial |
| kapacitní: | 68µF |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro 199D686X96R3D6V1E3
Latest News
- AI simulační cyklus dotaz, AI řídí poptávka po paměti Flash paměť
- Micron's Plán vybudovat továrnu, Nand Flash paměť za vysoké ceny nebo údržbu
- Výkon ADI je snížen, vzrostly substráty měděné fólie, skladování původní výroby továrny Konzervativní
- Vlna inteligence v autě přichází a Aimus Oslang pomohl Sagita Juguang uvolnit MX Lidar
- Výrobní kapacita HBM je vyloučena, paměť DRAM může být v druhé polovině roku nedostatečná
- Zakladatelé zdi skončí, HBM nebo způsobí, že se opět zvýší DRAM
- Poptávka po mobilním telefonu a expanzi PC, globální polovodičové výroby průmyslu
- Pochopte potřeby systémů monitorování ADAS a kabiny pro obrazové senzory zabezpečení sítě
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC
- Moels Micro Electronics zřídila nové kanceláře na Tchaj -wanu v Číně, aby rozšířila obchodní území