ZXTN04120HFFTA متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل ZXTN04120HFFTA، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل ZXTN04120HFFTA عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء ZXTN04120HFFTA مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
ZXTN04120HFFTA
- رقم القطعة:
- ZXTN04120HFFTA
- الصانع:
- Diodes Incorporated
- وصف:
- TRANS NPN DARL 120V 1A SOT23F-3
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 45978 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- ZXTN04120HFFTA.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس): | 120V |
| اصلاحات تشبع (ماكس) @ باء، جيم: | 1.5V @ 5mA, 2A |
| نوع الترانزستور: | NPN - Darlington |
| تجار الأجهزة حزمة: | SOT-23F |
| سلسلة: | - |
| السلطة - ماكس: | 1.5W |
| التعبئة والتغليف: | Original-Reel® |
| حزمة / كيس: | SOT-23-3 Flat Leads |
| اسماء اخرى: | ZXTN04120HFFDKR |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 35 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| تردد - تحول: | 120MHz |
| وصف تفصيلي: | Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 120V 1A 120MHz 1.5W Surface Mount SOT-23F |
| العاصمة الربح الحالي (HFE) (مين) @ جيم، VCE: | 3000 @ 1A, 5V |
| الحالي - جامع القطع (ماكس): | 10µA |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس): | 1A |
| رقم جزء القاعدة: | ZXTN04120H |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لZXTN04120HFFTA
Latest الأخبار
- أطلقت Qorvo التمهيدية الراقية ذات 5G Mmimo الرائعة في هذا المجال
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC