ZXTC2062E6TA متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل ZXTC2062E6TA، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل ZXTC2062E6TA عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء ZXTC2062E6TA مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
ZXTC2062E6TA
- رقم القطعة:
- ZXTC2062E6TA
- الصانع:
- Diodes Incorporated
- وصف:
- TRANS NPN/PNP 20V 4A/3.5A SOT23
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 40945 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- ZXTC2062E6TA.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس): | 20V |
| اصلاحات تشبع (ماكس) @ باء، جيم: | 190mV @ 200mA, 4A / 250mV @ 175mA, 3.5A |
| نوع الترانزستور: | NPN, PNP |
| تجار الأجهزة حزمة: | SOT-26 |
| سلسلة: | - |
| السلطة - ماكس: | 1.1W |
| التعبئة والتغليف: | Original-Reel® |
| حزمة / كيس: | SOT-23-6 |
| اسماء اخرى: | ZXTC2062E6DKR |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| تردد - تحول: | 215MHz, 290MHz |
| وصف تفصيلي: | Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 20V 4A, 3.5A 215MHz, 290MHz 1.1W Surface Mount SOT-26 |
| العاصمة الربح الحالي (HFE) (مين) @ جيم، VCE: | 280 @ 1A, 2V / 170 @ 1A, 2V |
| الحالي - جامع القطع (ماكس): | 50nA (ICBO) |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس): | 4A, 3.5A |
| رقم جزء القاعدة: | Z2062 |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لZXTC2062E6TA
Latest الأخبار
- أطلقت Qorvo التمهيدية الراقية ذات 5G Mmimo الرائعة في هذا المجال
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC