ZR40401R50 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل ZR40401R50، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل ZR40401R50 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء ZR40401R50 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
ZR40401R50
- رقم القطعة:
- ZR40401R50
- الصانع:
- Diodes Incorporated
- وصف:
- IC VREF SHUNT 5V TO92-3
- حالة خالية من الرصاص:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- كمية المخزون:
- 40743 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- ZR40401R50.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - الإخراج (دقيقة / ثابتة): | 5V |
| الجهد - الإدخال: | - |
| تسامح: | ±1% |
| معامل درجة الحرارة: | 100ppm/°C |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-92-3 |
| سلسلة: | - |
| نوع الإشارة: | Shunt |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| نوع المخرجات: | Fixed |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| الضوضاء - 10HZ إلى 10KHZ: | 105µVrms |
| الضوضاء - 0.1Hz إلى 10HZ: | - |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| وصف تفصيلي: | Shunt Voltage Reference IC ±1% 15mA TO-92-3 |
| الحالي - توريد: | - |
| الحالي - الناتج: | 15mA |
| الحالي - القطب السالب: | 60µA |
| رقم جزء القاعدة: | ZR404 |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لZR40401R50
Latest الأخبار
- ظهرت ARM في Computex 2024: من المتوقع أن يتم استخدام أكثر من 100 مليار جهاز للذراع لمنظمة العفو الدولية بحلول نهاية عام 2025
- أطلقت Qorvo التمهيدية الراقية ذات 5G Mmimo الرائعة في هذا المجال
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي