ZL1505ALNFT1 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل ZL1505ALNFT1، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل ZL1505ALNFT1 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء ZL1505ALNFT1 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
ZL1505ALNFT1
- رقم القطعة:
- ZL1505ALNFT1
- الصانع:
- Intersil
- وصف:
- IC MOSFET DVR STP-DN SYNC 10DFN
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 42474 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- ZL1505ALNFT1.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - توريد: | 4.5 V ~ 7.5 V |
| تجار الأجهزة حزمة: | 10-DFN (3x3) |
| سلسلة: | - |
| ارتفاع / سقوط الوقت (طباع): | 5.3ns, 4.8ns |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 10-VFDFN Exposed Pad |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| تردد الإدخال: | 2 |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 2 (1 Year) |
| الصانع المهلة القياسية: | 9 Weeks |
| المنطق الجهد - فيل، فيه: | 1.7V, 3.4V |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| نوع المدخلات: | Non-Inverting |
| عالية الجهد الجانب - ماكس (التمهيد): | 30V |
| نوع البوابة: | N-Channel MOSFET |
| تكوين مدفوعة: | Half-Bridge |
| وصف تفصيلي: | Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 10-DFN (3x3) |
| الحالي - ذروة الانتاج (المصدر، بالوعة): | 3.2A, 3.2A |
| قاعدة باعث تشبع الجهد (ماكس): | Independent |
| رقم جزء القاعدة: | ZL1505 |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لZL1505ALNFT1
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
ZL1-P2432 | SICK | PNP LO M8 PGTL 4PIN | تحقيق |
|
ZL1-N2431 | SICK | NPN LO 150 MM PGTL M8 | تحقيق |
|
ZL1-P2415 | SICK | PNP LO 2 METER CBL | تحقيق |
|
ZL1-N2615 | SICK | NPN LO 2M CBL W/ALARM | تحقيق |
|
ZL1-N2421 | SICK | NPN LO 150 MM PGTL M12 | تحقيق |
 |
ZL1505ALNNT | Intersil | IC MOSFET DRIVER SGL 10DFN | تحقيق |
|
ZL1-N2275 | SICK | NPN LO RJ11 2M PGTL | تحقيق |
|
ZL1-N2274 | SICK | NPN LO RJ11 1.5M PGTL | تحقيق |
|
ZL1-N2277 | SICK | NPN LO RJ11 3M PGTL | تحقيق |
 |
ZL1505ALNFT | Intersil | IC MOSFET DVR STP-DN SYNC 10DFN | تحقيق |
|
ZL1505ALNNT6 | Intersil | IC MOSFET DVR STP-DN SYNC 10DFN | تحقيق |
|
ZL1-N2273 | SICK | NPN LO RJ11 1M PGTL | تحقيق |
 |
ZL1-P2421 | SICK | SEN PHT LO PNP 3M M12 | تحقيق |
|
ZL1-N2272 | SICK | NPN LO RJ11 0.5M PGTL | تحقيق |
|
ZL1505ALNFT6 | Intersil | IC MOSFET DVR STP-DN SYNC 10DFN | تحقيق |
|
ZL1-P2417 | SICK | PNP LO 3 METER CBL | تحقيق |
|
ZL1-N2276 | SICK | NPN LO RJ11 2.5M PGTL | تحقيق |
|
ZL1505ALNNT1 | Intersil | IC MOSFET DRIVER SGL 10DFN | تحقيق |
|
ZL1-P2431 | SICK | PNP LO 150 MM PGTL M8 | تحقيق |
|
ZL1-N2415 | SICK | NPN LO 2 METER CBL | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل