YFF18PH0J105MT000N متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل YFF18PH0J105MT000N، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل YFF18PH0J105MT000N عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء YFF18PH0J105MT000N مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
YFF18PH0J105MT000N
- رقم القطعة:
- YFF18PH0J105MT000N
- الصانع:
- TDK Corporation
- وصف:
- CAP FEEDTHRU 1UF 20% 6.3V 0603
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 31365 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- YFF18PH0J105MT000N.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - تقييمه: | 6.3V |
| تسامح: | ±20% |
| موضوع الحجم: | - |
| معامل درجة الحرارة: | - |
| حجم / البعد: | 0.063" L x 0.032" W (1.60mm x 0.80mm) |
| سلسلة: | YFF-P |
| تصنيفات: | - |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 0603 (1608 Metric), 4 PC Pad |
| اسماء اخرى: | 445-3029-2 CKD610JB0J105S YFF18PH0J105M YFF18PH0J105MT0H0N |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 105°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 40 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| فقدان الإدراج: | 40dB @ 800kHz ~ 1GHz |
| ارتفاع (ماكس): | 0.035" (0.90mm) |
| وصف تفصيلي: | 1µF Feed Through Capacitor 6.3V 4A 12 mOhm 0603 (1608 Metric), 4 PC Pad |
| دس المقاومة (دكر) (ماكس): | 12 mOhm |
| تيار: | 4A |
| مواسعة: | 1µF |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لYFF18PH0J105MT000N
Latest الأخبار
- أطلقت Qorvo التمهيدية الراقية ذات 5G Mmimo الرائعة في هذا المجال
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC