Y4485V0408QT9L متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل Y4485V0408QT9L، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل Y4485V0408QT9L عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء Y4485V0408QT9L مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
Y4485V0408QT9L
- رقم القطعة:
- Y4485V0408QT9L
- الصانع:
- Vishay Precision Group
- وصف:
- DSMZ 1K4/1K4 TCR0.2 Q T S B
- كمية المخزون:
- 56659 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- Y4485V0408QT9L.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| تسامح: | ±0.02% |
| معامل درجة الحرارة: | ±0.2ppm/°C |
| تجار الأجهزة حزمة: | - |
| حجم / البعد: | 0.160" L x 0.106" W (4.06mm x 2.69mm) |
| سلسلة: | DSMZ |
| المقاوم نسبة-الانجراف: | ±0.1 ppm/°C |
| نسبة مطابقة المقاوم: | ±0.01% |
| المقاومة (أوم): | 1.4k |
| قوة لكل عنصر: | 50mW |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | 1610 J-Lead (3 Terminals) |
| درجة حرارة التشغيل: | -65°C ~ 125°C |
| عدد من المقاومات: | 2 |
| عدد من الدبابيس: | 2 |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| الصانع المهلة القياسية: | 28 Weeks |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | 0.071" (1.80mm) |
| وصف تفصيلي: | 1.4k Ohm ±0.02% 50mW Power Per Element Voltage Divider Resistor Network/Array ±0.2ppm/°C 1610 J-Lead (3 Terminals) |
| الدائرة نوع: | Voltage Divider |
| التطبيقات: | Voltage Divider (TCR Matched) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لY4485V0408QT9L
Latest الأخبار
- ظهرت ARM في Computex 2024: من المتوقع أن يتم استخدام أكثر من 100 مليار جهاز للذراع لمنظمة العفو الدولية بحلول نهاية عام 2025
- أطلقت Qorvo التمهيدية الراقية ذات 5G Mmimo الرائعة في هذا المجال
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي