Y17452K87000Q3R متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل Y17452K87000Q3R، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل Y17452K87000Q3R عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء Y17452K87000Q3R مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
Y17452K87000Q3R
- رقم القطعة:
- Y17452K87000Q3R
- الصانع:
- وصف:
- RES SMD 2.87K OHM 1/4W J LEAD
- حالة خالية من الرصاص:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- كمية المخزون:
- 50146 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- Y17452K87000Q3R.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| تقييم الجهد - AC: | - |
| الجهد - العمل: | 0.25W, 1/4W |
| الجهد - انهيار: | SMD |
| سمك (ماكس): | ±0.2ppm/°C |
| حجم / البعد: | 0.236" L x 0.126" W (5.99mm x 3.20mm) |
| سلسلة: | SMR1DZ |
| بنفايات الحالة: | Tape & Reel (TR) |
| الاستقطاب: | 2512 J-Lead |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 10 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | Y17452K87000Q3R |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | 0.110" (2.79mm) |
| الميزات: | Moisture Resistant, Non-Inductive, Pulse Withstanding |
| في FIFO: | 2 |
| وصف موسع: | 2.87k Ohm ±0.02% 0.25W, 1/4W Chip Resistor 2512 J-Lead Moisture Resistant, Non-Inductive, Pulse Withstanding Metal Foil |
| ESR (مقاومة السلسلة المكافئة): | ±0.02% |
| وصف: | RES SMD 2.87K OHM 1/4W J LEAD |
| طلاء، نوع السكن: | Metal Foil |
| عرض النطاق الترددي: | 2.87k |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لY17452K87000Q3R
Latest الأخبار
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار