Y1455150R000Q0R متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل Y1455150R000Q0R، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل Y1455150R000Q0R عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء Y1455150R000Q0R مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
Y1455150R000Q0R
- رقم القطعة:
- Y1455150R000Q0R
- الصانع:
- وصف:
- RES SMD 150 OHM 0.02% 1/5W 1506
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 49710 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- Y1455150R000Q0R.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| تقييم الجهد - AC: | - |
| الجهد - العمل: | 0.2W, 1/5W |
| الجهد - انهيار: | 1506 |
| سمك (ماكس): | ±2ppm/°C |
| حجم / البعد: | 0.150" L x 0.062" W (3.81mm x 1.57mm) |
| سلسلة: | VSM |
| بنفايات الحالة: | Tape & Reel (TR) |
| الاستقطاب: | 1506 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 10 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | Y1455150R000Q0R |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | 0.025" (0.64mm) |
| الميزات: | Moisture Resistant, Non-Inductive |
| في FIFO: | 2 |
| وصف موسع: | 150 Ohm ±0.02% 0.2W, 1/5W Chip Resistor 1506 Moisture Resistant, Non-Inductive Metal Foil |
| ESR (مقاومة السلسلة المكافئة): | ±0.02% |
| وصف: | RES SMD 150 OHM 0.02% 1/5W 1506 |
| طلاء، نوع السكن: | Metal Foil |
| عرض النطاق الترددي: | 150 |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لY1455150R000Q0R
Latest الأخبار
- أطلقت Qorvo التمهيدية الراقية ذات 5G Mmimo الرائعة في هذا المجال
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC