Y0076V0312BQ0L متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل Y0076V0312BQ0L، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل Y0076V0312BQ0L عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء Y0076V0312BQ0L مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
Y0076V0312BQ0L
- رقم القطعة:
- Y0076V0312BQ0L
- الصانع:
- Vishay Precision Group
- وصف:
- RES NTWRK 2 RES MULT OHM RADIAL
- حالة خالية من الرصاص:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- كمية المخزون:
- 46158 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- Y0076V0312BQ0L.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| تسامح: | ±0.1% |
| معامل درجة الحرارة: | ±2ppm/°C |
| تجار الأجهزة حزمة: | - |
| حجم / البعد: | 0.398" L x 0.185" W (10.11mm x 4.70mm) |
| سلسلة: | VHD144 |
| المقاوم نسبة-الانجراف: | ±0.1 ppm/°C |
| نسبة مطابقة المقاوم: | ±0.02% |
| المقاومة (أوم): | 200, 9.8k |
| قوة لكل عنصر: | 100mW |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | Radial - 3 Leads |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 125°C |
| عدد من المقاومات: | 2 |
| عدد من الدبابيس: | 3 |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 21 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | 0.525" (13.33mm) |
| وصف تفصيلي: | 200, 9.8k Ohm ±0.1% 100mW Power Per Element Voltage Divider 2 Resistor Network/Array ±2ppm/°C Radial - 3 Leads |
| الدائرة نوع: | Voltage Divider |
| التطبيقات: | Voltage Divider (TCR Matched) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لY0076V0312BQ0L
Latest الأخبار
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة