XCL103E503CR-G متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل XCL103E503CR-G، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل XCL103E503CR-G عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء XCL103E503CR-G مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
XCL103E503CR-G
- رقم القطعة:
- XCL103E503CR-G
- الصانع:
- Torex Semiconductor Ltd.
- وصف:
- DC DC CONVERTER 4.9-5.1V 2.5W
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 58967 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- XCL103E503CR-G.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - الناتج 4: | - |
| الجهد - المخرج 3: | - |
| الجهد - الناتج 2: | - |
| الجهد - الناتج 1: | 4.9 ~ 5.1 V |
| الجهد - الإدخال (مين): | 0.9V |
| الجهد - الإدخال (ماكس): | 6V |
| اكتب: | Non-Isolated PoL Module |
| تجار الأجهزة حزمة: | CL-2025 |
| حجم / البعد: | 0.10" L x 0.08" W x 0.04" H (2.5mm x 2.0mm x 1.0mm) |
| سلسلة: | XCL103 |
| السلطة (واتس): | 2.5W |
| التعبئة والتغليف: | Original-Reel® |
| حزمة / كيس: | 6-TDFN Exposed Pad |
| اسماء اخرى: | 893-1390-6 |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 85°C |
| عدد من المخرجات: | 1 |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 12 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| الميزات: | OCP, SCP |
| كفاءة: | 86% |
| وصف تفصيلي: | Non-Isolated PoL Module DC DC Converter 1 Output 4.9 ~ 5.1 V 500mA 0.9V - 6V Input |
| الحالي - الناتج (ماكس): | 500mA |
| التطبيقات: | ITE (Commercial) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لXCL103E503CR-G
Latest الأخبار
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة