XC2288H200F100LABKXUMA1 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل XC2288H200F100LABKXUMA1، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل XC2288H200F100LABKXUMA1 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء XC2288H200F100LABKXUMA1 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
XC2288H200F100LABKXUMA1
- رقم القطعة:
- XC2288H200F100LABKXUMA1
- وصف:
- IC MCU 16BIT 1.6MB FLASH 144LQFP
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 22466 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- XC2288H200F100LABKXUMA1.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - توريد (VCC / VDD): | 3 V ~ 5.5 V |
| تجار الأجهزة حزمة: | 144-LQFP (20x20) |
| سرعة: | 100MHz |
| سلسلة: | XC22xxH |
| ذاكرة الوصول العشوائي الحجم: | 138K x 8 |
| نوع الذاكرة برنامج: | FLASH |
| برنامج حجم الذاكرة: | 1.6MB (1.6M x 8) |
| الأجهزة الطرفية: | DMA, I²S, POR, PWM, WDT |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 144-LQFP Exposed Pad |
| اسماء اخرى: | SAK-XC2288H-200F100L AB SAK-XC2288H-200F100L AB-ND SP000844806 XC2288H200F100LABKXUMA1TR |
| نوع مذبذب: | Internal |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 125°C (TA) |
| عدد الإدخال / الإخراج: | 118 |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 3 (168 Hours) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| EEPROM الحجم: | - |
| وصف تفصيلي: | C166SV2 XC22xxH Microcontroller IC 16/32-Bit 100MHz 1.6MB (1.6M x 8) FLASH 144-LQFP (20x20) |
| محولات البيانات: | A/D 24x10b |
| الحجم الأساسية: | 16/32-Bit |
| النواة: | C166SV2 |
| الاتصال: | CANbus, EBI/EMI, I²C, LINbus, SPI, SSC, UART/USART, USI |
| رقم جزء القاعدة: | SA*XC2288H |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لXC2288H200F100LABKXUMA1
Latest الأخبار
- ظهرت ARM في Computex 2024: من المتوقع أن يتم استخدام أكثر من 100 مليار جهاز للذراع لمنظمة العفو الدولية بحلول نهاية عام 2025
- أطلقت Qorvo التمهيدية الراقية ذات 5G Mmimo الرائعة في هذا المجال
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي