XC2268N40F80LRABKXUMA1 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل XC2268N40F80LRABKXUMA1، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل XC2268N40F80LRABKXUMA1 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء XC2268N40F80LRABKXUMA1 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
XC2268N40F80LRABKXUMA1
- رقم القطعة:
- XC2268N40F80LRABKXUMA1
- وصف:
- IC MCU 16BIT 320KB FLASH 100LQFP
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 49279 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- 1.XC2268N40F80LRABKXUMA1.pdf2.XC2268N40F80LRABKXUMA1.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - توريد (VCC / VDD): | 3 V ~ 5.5 V |
| تجار الأجهزة حزمة: | PG-LQFP-100-8 |
| سرعة: | 80MHz |
| سلسلة: | XC22xxN |
| ذاكرة الوصول العشوائي الحجم: | 42K x 8 |
| نوع الذاكرة برنامج: | FLASH |
| برنامج حجم الذاكرة: | 320KB (320K x 8) |
| الأجهزة الطرفية: | I²S, POR, PWM, WDT |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 100-LQFP Exposed Pad |
| اسماء اخرى: | SP001115324 |
| نوع مذبذب: | Internal |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 125°C (TA) |
| عدد الإدخال / الإخراج: | 76 |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 3 (168 Hours) |
| الصانع المهلة القياسية: | 26 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| EEPROM الحجم: | - |
| وصف تفصيلي: | C166SV2 XC22xxN Microcontroller IC 16/32-Bit 80MHz 320KB (320K x 8) FLASH PG-LQFP-100-8 |
| محولات البيانات: | A/D 16x10b |
| الحجم الأساسية: | 16/32-Bit |
| النواة: | C166SV2 |
| الاتصال: | CANbus, EBI/EMI, I²C, LINbus, SPI, SSC, UART/USART, USI |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لXC2268N40F80LRABKXUMA1
Latest الأخبار
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة