WLAR025FET متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل WLAR025FET، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل WLAR025FET عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء WLAR025FET مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
WLAR025FET
- رقم القطعة:
- WLAR025FET
- الصانع:
- Ohmite
- وصف:
- RES 0.025 OHM 1/2W 1% AXIAL
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 28225 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- WLAR025FET.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| تسامح: | ±1% |
| معامل درجة الحرارة: | ±300ppm/°C |
| تجار الأجهزة حزمة: | Axial |
| حجم / البعد: | 0.100" Dia x 0.200" L (2.54mm x 5.08mm) |
| سلسلة: | WL |
| وضع لوحة: | 25 mOhms |
| السلطة (واتس): | 0.5W, 1/2W |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | Axial |
| اسماء اخرى: | WLAR025FETR WLAR025FT WLAR025FTR WLAR025FTR-ND |
| درجة حرارة التشغيل: | - |
| عدد الإنهاء: | 2 |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 34 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | - |
| الميزات: | Current Sense, Moisture Resistant |
| معدل الفشل: | - |
| وصف تفصيلي: | 25 mOhms ±1% 0.5W, 1/2W Through Hole Resistor Axial Current Sense, Moisture Resistant Wirewound |
| تركيب: | Wirewound |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لWLAR025FET
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
WLA26P-34162100A00 | SICK | SEN PHT NPN/PNP LO/DO 18M | تحقيق |
 |
WLAR015FET | Ohmite | RES 0.015 OHM 1/2W 1% AXIAL | تحقيق |
|
WLA26P-24162100A00 | SICK | SEN PHT NPN/PNP LO/DO 18M | تحقيق |
 |
WLAR025FE | Ohmite | RES 0.025 OHM 1/2W 1% AXIAL | تحقيق |
|
WLAR100FE | Ohmite | RES 0.1 OHM 1/2W 1% AXIAL | تحقيق |
 |
WLAR030FET | Ohmite | RES 0.03 OHM 1/2W 1% AXIAL | تحقيق |
 |
WLAR020FET | Ohmite | RES 0.02 OHM 1/2W 1% AXIAL | تحقيق |
 |
WLA16P-34162100A00 | SICK | SEN PHT 0-10M PNP/NPN PGTL | تحقيق |
|
WLAR010FE | Ohmite | RES 0.01 OHM 1/2W 1% AXIAL | تحقيق |
|
WLAR005FE | Ohmite | RES 0.005 OHM 1/2W 1% AXIAL | تحقيق |
|
WLA26P-1H162100A00 | SICK | SEN PHT NPN/PNP LO/DO 18M | تحقيق |
|
WLA16P-2416210BA00 | SICK | SEN PHT NPN/PNP LO/DO 10M | تحقيق |
|
WLAR050FE | Ohmite | RES 0.05 OHM 1/2W 1% AXIAL | تحقيق |
 |
WLAR100FET | Ohmite | RES 0.1 OHM 1/2W 1% AXIAL | تحقيق |
 |
WLAR005FET | Ohmite | RES 0.005 OHM 1/2W 1% AXIAL | تحقيق |
|
WLAR030FE | Ohmite | RES 0.03 OHM 1/2W 1% AXIAL | تحقيق |
 |
WLAR010FET | Ohmite | RES 0.01 OHM 1/2W 1% AXIAL | تحقيق |
 |
WLAR050FET | Ohmite | RES 0.05 OHM 1/2W 1% AXIAL | تحقيق |
|
WLAR015FE | Ohmite | RES 0.015 OHM 1/2W 1% AXIAL | تحقيق |
|
WLAR020FE | Ohmite | RES 0.02 OHM 1/2W 1% AXIAL | تحقيق |
Latest الأخبار
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة