VUO18-12DT8 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل VUO18-12DT8، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل VUO18-12DT8 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء VUO18-12DT8 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
VUO18-12DT8
- رقم القطعة:
- VUO18-12DT8
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- RECT BRIDGE 18A 1200V FO-B
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 55308 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- VUO18-12DT8.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - قمة عكسي (ماكس): | 1.2kV |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 1.85V @ 55A |
| تكنولوجيا: | Standard |
| تجار الأجهزة حزمة: | FO-B |
| سلسلة: | - |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | 5-Square, FO-B |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | QC Terminal |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| نوع الصمام الثنائي: | Three Phase |
| وصف تفصيلي: | Bridge Rectifier Three Phase Standard 1.2kV QC Terminal FO-B |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 300µA @ 1200V |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو): | 18A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لVUO18-12DT8
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
VUO16-16NO1 | IXYS Corporation | RECT BRIDGE 3PH 20A 1600V V1-A | تحقيق |
 |
VUO190-18NO7 | IXYS Corporation | RECT BRIDGE 3PH 1800V PWS-E-1 | تحقيق |
 |
VUO160-16NO7 | IXYS Corporation | RECT BRIDGE 3PH 1600V PWS-E-1 | تحقيق |
 |
VUO18-14DT8 | IXYS Corporation | RECT BRIDGE 18A 1400V FO-B | تحقيق |
 |
VUO190-14NO7 | IXYS Corporation | RECT BRIDGE 3PH 1400V PWS-E-1 | تحقيق |
 |
VUO192-16NO7 | IXYS Corporation | DIODE BRIDGE 1600V 240A | تحقيق |
|
VUO160-18NO7 | IXYS Corporation | RECT BRIDGE 3PH 1800V PWS-E-1 | تحقيق |
|
VUO160-14NO7 | IXYS Corporation | RECT BRIDGE 3PH 1400V PWS-E-1 | تحقيق |
|
VUO16012NO7 | IXYS Corporation | BRIDGE RECT 3 PHASE 1200V 175A | تحقيق |
|
VUO16-14NO1 | IXYS Corporation | RECT BRIDGE 3PH 20A 1400V V1-A | تحقيق |
|
VUO22-08NO1 | IXYS Corporation | RECT BRIDGE 3PH 25A 800V V1-A | تحقيق |
|
VUO18-16DT8 | IXYS Corporation | RECT BRIDGE 18A 1600V FO-B | تحقيق |
|
VUO190-16NO7 | IXYS Corporation | RECT BRIDGE 3PH 1600V PWS-E-1 | تحقيق |
 |
VUO160-12NO7 | IXYS Corporation | RECT BRIDGE 3PH 1200V PWS-E-1 | تحقيق |
|
VUO22-12NO1 | IXYS Corporation | RECT BRIDGE 3PH 25A 1200V V1-A | تحقيق |
|
VUO16-18NO1 | IXYS Corporation | RECT BRIDGE 3PH 20A 1800V V1-A | تحقيق |
|
VUO162-16NO7 | IXYS Corporation | DIODE BRIDGE 1600V 180A | تحقيق |
|
VUO190-12NO7 | IXYS Corporation | RECT BRIDGE 3PH 1200V PWS-E-1 | تحقيق |
 |
VUO160-08NO7 | IXYS Corporation | RECT BRIDGE 3PH 800V PWS-E-1 | تحقيق |
 |
VUO190-08NO7 | IXYS Corporation | RECT BRIDGE 3PH 800V PWS-E-1 | تحقيق |
Latest الأخبار
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة