VSSR1603510GUF متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل VSSR1603510GUF، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل VSSR1603510GUF عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء VSSR1603510GUF مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
VSSR1603510GUF
- رقم القطعة:
- VSSR1603510GUF
- الصانع:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- وصف:
- RES ARRAY 8 RES 51 OHM 16SSOP
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 24327 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- VSSR1603510GUF.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| تسامح: | ±2% |
| معامل درجة الحرارة: | ±100ppm/°C |
| تجار الأجهزة حزمة: | 16-SSOP |
| حجم / البعد: | 0.193" L x 0.154" W (4.90mm x 3.91mm) |
| سلسلة: | VSSR |
| المقاوم نسبة-الانجراف: | - |
| نسبة مطابقة المقاوم: | - |
| المقاومة (أوم): | 51 |
| قوة لكل عنصر: | 100mW |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | 16-SSOP (0.154", 3.90mm Width) |
| اسماء اخرى: | VSSR16-51-GI |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 125°C |
| عدد من المقاومات: | 8 |
| عدد من الدبابيس: | 16 |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 20 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | 0.069" (1.76mm) |
| وصف تفصيلي: | 51 Ohm ±2% 100mW Power Per Element Isolated 8 Resistor Network/Array ±100ppm/°C 16-SSOP (0.154", 3.90mm Width) |
| الدائرة نوع: | Isolated |
| التطبيقات: | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لVSSR1603510GUF
Latest الأخبار
- ظهرت ARM في Computex 2024: من المتوقع أن يتم استخدام أكثر من 100 مليار جهاز للذراع لمنظمة العفو الدولية بحلول نهاية عام 2025
- أطلقت Qorvo التمهيدية الراقية ذات 5G Mmimo الرائعة في هذا المجال
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي