VS-ST330S12P0 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل VS-ST330S12P0، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل VS-ST330S12P0 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء VS-ST330S12P0 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
VS-ST330S12P0
- رقم القطعة:
- VS-ST330S12P0
- الصانع:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- وصف:
- SCR PHAS CONT 1200V 330A TO-118C
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 46809 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- VS-ST330S12P0.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - في دولة (فتم) (ماكس): | 1.52V |
| الجهد - الدولة معطلة: | 1.2kV |
| الجهد - بوابة الزناد (فحكت) (ماكس): | 3V |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-209AE (TO-118) |
| سلسلة: | - |
| نوع SCR: | Standard Recovery |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | TO-209AE, TO-118-4, Stud |
| اسماء اخرى: | *ST330S12P0 ST330S12P0 ST330S12P0-ND VSST330S12P0 VSST330S12P0-ND |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 125°C |
| تصاعد نوع: | Chassis, Stud Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 18 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| وصف تفصيلي: | SCR 1.2kV 520A Standard Recovery Chassis, Stud Mount TO-209AE (TO-118) |
| التيار - في دولة (و(RMS)) (ماكس): | 520A |
| التيار - في دولة (و(AV)) (ماكس): | 330A |
| التيار - إيقاف الدولة (ماكس): | 50mA |
| التيار - غير النائب عرام 50، 60HZ (إدارة خدمات تكنولوجيا المعلومات): | 9000A, 9420A |
| الحالي - عقد (ايه) (ماكس): | 600mA |
| الحالي - بوابة الزناد (IGT) (ماكس): | 200mA |
| رقم جزء القاعدة: | ST330S |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لVS-ST330S12P0
Latest الأخبار
- أطلقت Qorvo التمهيدية الراقية ذات 5G Mmimo الرائعة في هذا المجال
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC