VS-MURB1020CT-1HM3 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل VS-MURB1020CT-1HM3، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل VS-MURB1020CT-1HM3 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء VS-MURB1020CT-1HM3 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
VS-MURB1020CT-1HM3
- رقم القطعة:
- VS-MURB1020CT-1HM3
- الصانع:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- وصف:
- DIODE STANDARD 200V 5A TO262AA
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 36953 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- 1.VS-MURB1020CT-1HM3.pdf2.VS-MURB1020CT-1HM3.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 990mV @ 5A |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس): | 200V |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-262AA |
| سرعة: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| سلسلة: | Automotive, AEC-Q101, FRED Pt® |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | 24ns |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع: | -65°C ~ 175°C |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 45 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| نوع الصمام الثنائي: | Standard |
| تكوين الصمام الثنائي: | 1 Pair Common Cathode |
| وصف تفصيلي: | Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 200V 5A Through Hole TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 10µA @ 200V |
| التيار - متوسط مصحح (أيو) (لكل ديود): | 5A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لVS-MURB1020CT-1HM3
Latest الأخبار
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار
- أطلقت Ruisa New RA0 Series Ultra -low Power Entry -lovel MCU
- يطلق Melexis رقاقة مفتاح محث كامل المتكامل