VS-1N3670A متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل VS-1N3670A، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل VS-1N3670A عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء VS-1N3670A مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
VS-1N3670A
- رقم القطعة:
- VS-1N3670A
- الصانع:
- وصف:
- DIODE GEN PURP 700V 12A DO203AA
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 29928 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- VS-1N3670A.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - قمة عكسي (ماكس): | Standard |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 12A |
| الجهد - انهيار: | DO-203AA |
| سلسلة: | - |
| بنفايات الحالة: | Bulk |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| المقاومة @ إذا، F: | - |
| الاستقطاب: | DO-203AA, DO-4, Stud |
| اسماء اخرى: | *1N3670A 1N3670A 1N3670A-ND |
| تصاعد نوع: | Chassis, Stud Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 10 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | VS-1N3670A |
| وصف موسع: | Diode Standard 700V 12A Chassis, Stud Mount DO-203AA |
| تكوين الصمام الثنائي: | 900µA @ 700V |
| وصف: | DIODE GEN PURP 700V 12A DO203AA |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 1.35V @ 12A |
| التيار - متوسط مصحح (أيو) (لكل ديود): | 700V |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F: | -65°C ~ 200°C |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لVS-1N3670A
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل