VQ1001P-E3 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل VQ1001P-E3، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل VQ1001P-E3 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء VQ1001P-E3 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
VQ1001P-E3
- رقم القطعة:
- VQ1001P-E3
- الصانع:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- وصف:
- MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 26530 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- VQ1001P-E3.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2.5V @ 1mA |
| تجار الأجهزة حزمة: | 14-DIP |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 1.75 Ohm @ 200mA, 5V |
| السلطة - ماكس: | 2W |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | - |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 110pF @ 15V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | - |
| نوع FET: | 4 N-Channel |
| FET الميزة: | Logic Level Gate |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 30V |
| وصف تفصيلي: | Mosfet Array 4 N-Channel 30V 830mA 2W Through Hole 14-DIP |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 830mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لVQ1001P-E3
Latest الأخبار
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي