VOM617A-4X001T متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل VOM617A-4X001T، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل VOM617A-4X001T عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء VOM617A-4X001T مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
VOM617A-4X001T
- رقم القطعة:
- VOM617A-4X001T
- وصف:
- OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 4-SOP
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 47747 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- 1.VOM617A-4X001T.pdf2.VOM617A-4X001T.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - انهيار: | 4-SOP (2.54mm) |
| اصلاحات تشبع (ماكس): | 6µs, 4µs |
| تشغيل / إيقاف الوقت (الكتابة): | 320% @ 5mA |
| سلسلة: | - |
| بنفايات الحالة: | Tape & Reel (TR) |
| الاستقطاب: | 4-SMD, Gull Wing |
| نوع المخرجات: | Transistor |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 110°C |
| عدد القنوات: | 1 |
| الضوضاء - 0.1Hz إلى 10HZ: | 80V |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 7 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | VOM617A-4X001T |
| نوع كيت: | 400mV |
| نوع المدخلات: | DC |
| عالية الجهد الجانب - ماكس (التمهيد): | 3µs, 3µs |
| وصف موسع: | Optoisolator Transistor Output 3750Vrms 1 Channel 4-SOP (2.54mm) |
| وصف: | OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 4-SOP |
| نسبة نقل الحالية (مين): | 60mA |
| نسبة نقل الحالية (ماكس): | 160% @ 5mA |
| الحالي - دس إلى الأمام (إذا) (ماكس): | 1.1V |
| الحالي - التخطي: | 3750Vrms |
| القنوات في IC: | 50mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لVOM617A-4X001T
Latest الأخبار
- ظهرت ARM في Computex 2024: من المتوقع أن يتم استخدام أكثر من 100 مليار جهاز للذراع لمنظمة العفو الدولية بحلول نهاية عام 2025
- أطلقت Qorvo التمهيدية الراقية ذات 5G Mmimo الرائعة في هذا المجال
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي