VND5T100LASTR-E متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل VND5T100LASTR-E، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل VND5T100LASTR-E عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء VND5T100LASTR-E مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
VND5T100LASTR-E
- رقم القطعة:
- VND5T100LASTR-E
- الصانع:
- STMicroelectronics
- وصف:
- SO 16 .15 TO JEDEC M
- كمية المخزون:
- 47123 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- VND5T100LASTR-E.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| سلسلة: | * |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لVND5T100LASTR-E
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
VND5T035ASTR-E | STMicroelectronics | IC DVR SWITCH HI SIDE 16SOIC | تحقيق |
 |
VND5T035LAKTR-E | STMicroelectronics | IC DVR HIGH-SIDE 2CH POWERSSO24 | تحقيق |
 |
VND60013TR | STMicroelectronics | RELAY SSR 2CHAN HI SIDE 16SOIC | تحقيق |
|
VND5T050AK-E | STMicroelectronics | IC DRIVER HIGH SIDE 2CH PWRSSO24 | تحقيق |
|
VND5T050AKTR-E | STMicroelectronics | IC DRIVER HIGH SIDE 2CH PWRSSO24 | تحقيق |
|
VND5T035AKTR-E | STMicroelectronics | IC DRIVER HIGH SIDE 2CH PWRSSO24 | تحقيق |
 |
VND600PEPTR-E | STMicroelectronics | IC DRIVER HIGH SIDE 2CH PWRSSO24 | تحقيق |
 |
VND600SP13TR | STMicroelectronics | RELAY SSR 2CH 36V POWERSO-10 | تحقيق |
|
VND600P-E | STMicroelectronics | IC DVR HIGH SIDE 2CH 16SO | تحقيق |
|
VND600PTR-E | STMicroelectronics | IC DVR HIGH SIDE 2CH POWERSSO24 | تحقيق |
 |
VND5T100AJ-E | STMicroelectronics | IC DRIVER HIGH SIDE 2CH PWRSSO12 | تحقيق |
|
VND5T100AJTR-E | STMicroelectronics | IC DRIVER HIGH SIDE 2CH PWRSSO12 | تحقيق |
|
VND5T035LAK-E | STMicroelectronics | IC DVR HIGH-SIDE 2CH POWERSSO24 | تحقيق |
|
VND5T100ATR-E | STMicroelectronics | IC DVR SWITCH HI SIDE 16SOIC N | تحقيق |
|
VND600 | STMicroelectronics | RELAY SSR 2CHAN HI SIDE 16SOIC | تحقيق |
|
VND5T100LAJTR-E | STMicroelectronics | IC DVR SWITCH HI SIDE PWRSSO12 | تحقيق |
|
VND600SP-E | STMicroelectronics | IC DRIVER DUAL 36V 25A PWRSO-10 | تحقيق |
|
VND600SP | STMicroelectronics | IC DRIVER DUAL 36V 25A PWRSO-10 | تحقيق |
|
VND600PEP-E | STMicroelectronics | IC DRIVER HIGH SIDE 2CH PWRSSO24 | تحقيق |
|
VND600-E | STMicroelectronics | IC DVR HIGH SIDE 2CH 25A 16SOIC | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل