VN7003ALHTR متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل VN7003ALHTR، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل VN7003ALHTR عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء VN7003ALHTR مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
VN7003ALHTR
- رقم القطعة:
- VN7003ALHTR
- الصانع:
- STMicroelectronics
- وصف:
- IC PWR SWITCH N-CH 1:1 OCTAPACK
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 48832 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- VN7003ALHTR.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - توريد (VCC / VDD): | Not Required |
| الجهد - تحميل: | 4 V ~ 28 V |
| تبديل نوع: | General Purpose |
| تجار الأجهزة حزمة: | OctaPAK 7+1 |
| سلسلة: | Automotive, AEC-Q100 |
| رديز أون (تيب): | 3.5 mOhm |
| نسبة - الإدخال: إخراج: | 1:1 |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | OctaPAK (7 leads + Tab) |
| نوع المخرجات: | N-Channel |
| تكوين الناتج: | High Side |
| اسماء اخرى: | 497-16717-2 |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| عدد من المخرجات: | 1 |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 3 (168 Hours) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| السطح البيني: | On/Off |
| نوع المدخلات: | Non-Inverting |
| الميزات: | Auto Restart |
| حماية الأخطاء: | Current Limiting (Fixed), Open Load Detect, Over Temperature, Over Voltage, UVLO |
| الحالي - الناتج (ماكس): | 80A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لVN7003ALHTR
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
VN7040AJTR-E | STMicroelectronics | IC DVR HIGH-SIDE 1CH POWERSSO-16 | تحقيق |
 |
VN7004CHTR | STMicroelectronics | IC PWR SWITCH N-CHAN OCTAPAK | تحقيق |
 |
VN7040ASTR | STMicroelectronics | IC DVR HIGH-SIDE 1CH 8SOIC | تحقيق |
|
VN7020AJTR-E | STMicroelectronics | IC DVR HIGH-SIDE 1CH POWERSSO-16 | تحقيق |
|
VN7007ALHTR | STMicroelectronics | IC PWR SWITCH N-CHAN OCTAPAK | تحقيق |
|
VN7004CLHTR | STMicroelectronics | IC PWR SWITCH N-CHAN OCTAPAK | تحقيق |
 |
VN7016AJ-E | STMicroelectronics | IC DVR HIGH-SIDE 1CH POWERSSO-16 | تحقيق |
|
VN7016AJTR | STMicroelectronics | IC DVR HIGH-SIDE 1CH POWERSSO-16 | تحقيق |
|
VN7016AJTR-E | STMicroelectronics | IC DVR HIGH-SIDE 1CH POWERSSO-16 | تحقيق |
|
VN7020AJ-E | STMicroelectronics | IC DVR HIGH-SIDE 1CH POWERSSO-16 | تحقيق |
|
VN7008AJTR | STMicroelectronics | POWERSSO 16 LEADS EP | تحقيق |
|
VN7007AHTR | STMicroelectronics | IC PWR SWITCH N-CHAN OCTAPAK | تحقيق |
|
VN7010AJTR-E | STMicroelectronics | IC DVR HIGH-SIDE 1CH POWERSSO-16 | تحقيق |
|
VN7020AJTR | STMicroelectronics | IC DRIVER HIGH SIDE POWERSSO16 | تحقيق |
|
VN7003AHTR | STMicroelectronics | IC PWR SWITCH N-CH 1:1 OCTAPACK | تحقيق |
|
VN7040AJTR | STMicroelectronics | IC DVR HIGH-SIDE 1CH POWERSSO-16 | تحقيق |
|
VN7040AJ-E | STMicroelectronics | IC DVR HIGH-SIDE 1CH POWERSSO-16 | تحقيق |
|
VN7010AJ-E | STMicroelectronics | IC DVR HIGH-SIDE 1CH POWERSSO-16 | تحقيق |
|
VN7040AS-E | STMicroelectronics | IC DVR HIGH-SIDE 1CH 8SOIC | تحقيق |
|
VN7010AJTR | STMicroelectronics | IC DRIVER HIGH SIDE POWERSSO16 | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل