VLS252012T-1R5N1R4 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل VLS252012T-1R5N1R4، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل VLS252012T-1R5N1R4 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء VLS252012T-1R5N1R4 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
VLS252012T-1R5N1R4
- رقم القطعة:
- VLS252012T-1R5N1R4
- الصانع:
- TDK Corporation
- وصف:
- FIXED IND 1.5UH 1.5A 126 MOHM
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 47420 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- VLS252012T-1R5N1R4.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| اكتب: | Wirewound |
| تسامح: | ±30% |
| تجار الأجهزة حزمة: | 1008 (2520 Metric) |
| حجم / البعد: | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
| التدريع: | Shielded |
| سلسلة: | VLS |
| تصنيفات: | - |
| س @ التكرار: | - |
| التعبئة والتغليف: | Cut Tape (CT) |
| حزمة / كيس: | 1008 (2520 Metric) |
| اسماء اخرى: | 445-3669-1 |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 105°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| مادة - كور: | - |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| تردد الحث - الاختبار: | 1MHz |
| الحث: | 1.5µH |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | 0.039" (1.00mm) |
| تردد - الذاتي الرنين: | - |
| وصف تفصيلي: | 1.5µH Shielded Wirewound Inductor 1.5A 126 mOhm Max 1008 (2520 Metric) |
| DC المقاومة (DCR): | 126 mOhm Max |
| التصويت الحالي: | 1.5A |
| الحالي - التشبع: | 2A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لVLS252012T-1R5N1R4
Latest الأخبار
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار