VLS252008ET-4R7M متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل VLS252008ET-4R7M، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل VLS252008ET-4R7M عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء VLS252008ET-4R7M مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
VLS252008ET-4R7M
- رقم القطعة:
- VLS252008ET-4R7M
- الصانع:
- TDK Corporation
- وصف:
- FIXED IND 4.7UH 590MA 580 MOHM
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 21202 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- VLS252008ET-4R7M.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - انهيار: | - |
| استعمال: | Shielded |
| اكتب: | Wirewound |
| حجم / البعد: | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
| سلسلة: | VLS-E |
| بنفايات الحالة: | Tape & Reel (TR) |
| تصنيفات: | - |
| الاستقطاب: | Nonstandard |
| اسماء اخرى: | 445-15825-2 |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 105°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 12 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | VLS252008ET-4R7M |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | 0.031" (0.80mm) |
| نوع الأجهزة: | 4.7µH |
| تردد - اختبار: | - |
| تردد - الذاتي الرنين: | 580 mOhm Max |
| وصف موسع: | 4.7µH Shielded Wirewound Inductor 590mA 580 mOhm Max Nonstandard |
| ESR (مقاومة السلسلة المكافئة): | ±20% |
| قطر - الكتف: | - |
| وصف: | FIXED IND 4.7UH 590MA 580 MOHM |
| وقت التأخير: | 1MHz |
| DC المقاومة (DCR): | 610mA |
| التصويت الحالي: | 590mA |
| الحالي - التشبع: | Ferrite |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لVLS252008ET-4R7M
Latest الأخبار
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM