VLF302512MT-220M متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل VLF302512MT-220M، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل VLF302512MT-220M عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء VLF302512MT-220M مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
VLF302512MT-220M
- رقم القطعة:
- VLF302512MT-220M
- الصانع:
- TDK Corporation
- وصف:
- FIXED IND 22UH 640MA 700 MOHM
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 57606 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- VLF302512MT-220M.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - انهيار: | - |
| استعمال: | Shielded |
| اكتب: | Wirewound |
| حجم / البعد: | 0.118" L x 0.098" W (3.00mm x 2.50mm) |
| سلسلة: | VLF-MT |
| بنفايات الحالة: | Tape & Reel (TR) |
| تصنيفات: | - |
| الاستقطاب: | Nonstandard |
| اسماء اخرى: | 445-6786-2 VLF302512MT220M |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 105°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 12 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | VLF302512MT-220M |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | 0.047" (1.20mm) |
| نوع الأجهزة: | 22µH |
| تردد - اختبار: | - |
| تردد - الذاتي الرنين: | 700 mOhm Max |
| وصف موسع: | 22µH Shielded Wirewound Inductor 640mA 700 mOhm Max Nonstandard |
| ESR (مقاومة السلسلة المكافئة): | ±20% |
| قطر - الكتف: | - |
| وصف: | FIXED IND 22UH 640MA 700 MOHM |
| وقت التأخير: | 1MHz |
| DC المقاومة (DCR): | 470mA |
| التصويت الحالي: | 640mA |
| الحالي - التشبع: | Ferrite |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لVLF302512MT-220M
Latest الأخبار
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار