VJ1206Y683JBAAT4X متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل VJ1206Y683JBAAT4X، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل VJ1206Y683JBAAT4X عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء VJ1206Y683JBAAT4X مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
VJ1206Y683JBAAT4X
- رقم القطعة:
- VJ1206Y683JBAAT4X
- الصانع:
- Vishay / Vitramon
- وصف:
- CAP CER 0.068UF 50V X7R 1206
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 50834 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- VJ1206Y683JBAAT4X.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - تقييمه: | 50V |
| تسامح: | 0.068µF |
| سمك (ماكس): | X7R |
| السطح حجم جبل لاند: | - |
| حجم / البعد: | 0.132" L x 0.063" W (3.35mm x 1.60mm) |
| سلسلة: | VJ OMD |
| بنفايات الحالة: | Tape & Reel (TR) |
| تموج الحالي - التردد المنخفض: | Boardflex Sensitive |
| تصنيفات: | - |
| الاستقطاب: | 1206 (3216 Metric) |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 125°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount, MLCC |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 13 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | VJ1206Y683JBAAT4X |
| قيادي نمط: | 0.067" (1.70mm) |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | - |
| الميزات: | Soft Termination, High Voltage |
| معدل الفشل: | - |
| وصف موسع: | 0.068µF ±5% 50V Ceramic Capacitor X7R 1206 (3216 Metric) |
| ESR (مقاومة السلسلة المكافئة): | ±5% |
| وصف: | CAP CER 0.068UF 50V X7R 1206 |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لVJ1206Y683JBAAT4X
Latest الأخبار
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار